本文組借鑒國外并行光互連鏈路的經(jīng)驗，應(yīng)用一維線陣結(jié)構(gòu)的SEED智能像素，將4×4 SEED智能像素制作成1×20 （4×5，一組冗余）線陣結(jié)構(gòu)，設(shè)計適合的耦合方式，利用硅片的選擇腐蝕技術(shù)，制作硅基光纖定位夾持器，研 制...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1829 關(guān)鍵詞：SEED智能像素總體設(shè)計SEED智能像素
SEED器件利用超晶格量子阱二維自由激子吸收在外電場作用下的非線性變化，通過外部反饋元件的正反饋作用可實現(xiàn)光雙穩(wěn)功能；通過多量子阱電吸收及電色散效應(yīng)，可對光強進行調(diào)制，從而實現(xiàn)光調(diào)制開關(guān)功能。量子阱的室溫...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1470 關(guān)鍵詞：SEED智能像素器件的工作原理SEED智能像素
隨著分子束外延（MBE）和金屬有機物化學(xué)氣相淀積（MOCVD）技術(shù)的成熟與發(fā)展，可以在半導(dǎo)體襯底上均勻生 長原子量級的超薄層田，通過兩種半導(dǎo)體材料的交替生長，形成一系列周期性的勢壘和勢阱，這就是所謂的超晶 格量...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1570 關(guān)鍵詞：SEED智能像素器件的物理基礎(chǔ)SEED智能像素
由于微光電子集成智能像素集光子集成器件和超大規(guī)模集成電路于一體，同時具有光信號探測、調(diào)制、變換、 處理、發(fā)射、傳輸?shù)裙δ芎碗娦盘柎鎯?、放大、邏輯、智能控制等功能。因此微光電子集成智能像素可廣泛應(yīng)用 于光...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1723 關(guān)鍵詞：智能像素的應(yīng)用智能像素
件建模的目的就是在一定的限定條件下，通過模擬優(yōu)化，使器件性能滿足我們的要求。因為器件的特性不可能全部得到優(yōu)化，它們之間存在相互制約的關(guān)系，所以在進行建模之前，我們首先要根據(jù)實際需要，確定設(shè)計目標(biāo)，比如...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1784 關(guān)鍵詞：器件建模光小目位調(diào)制器
垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical－CavitySurface－EmittingLaser，VCSEL）及其陣列是一種新型的半導(dǎo)體激光器，是光子學(xué)器件在集成化上的一項重大突破，它可以充分發(fā)揮光子的平行操作能力，在光互連、光通信、圖像信號...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1869 關(guān)鍵詞：VCSEL智能像素VCSEL
對于硅來說，最有效的電光調(diào)制方法是利用自由載流子的注入和耗盡。利用這個效應(yīng)我們可以做成光強度調(diào)制器［15～16］、相位調(diào)制器［11］等。其中，相位調(diào)制器是比較有效的一種方法，因為它可以用較小的折射率改變來調(diào)...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1473 關(guān)鍵詞：光小目位調(diào)制器
半導(dǎo)體多量子阱自電光效應(yīng)器件是20世紀80年代后期迅速發(fā)展起來的一種新穎的光電混合型光邏輯開關(guān)器件。SEED是美國貝爾實驗室對自電光效應(yīng)器件（SelfElectro－OpticEffectDevice）的簡稱囫，其他一些國家稱這種器件為...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1754 關(guān)鍵詞：SEED智能像素SEED
智能像素是將高密度的光子集成器件與大規(guī)模集成電路進行集成，構(gòu)成具有實用價值的光電子集成系統(tǒng)，其中光子集成器件是智能像素的關(guān)鍵，它是根據(jù)系統(tǒng)功能的要求，將一種類型的光子器件重復(fù)分布成矩陣形陣列，大規(guī)模集...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1289 關(guān)鍵詞：智能像素對光子集成器件的要求光子集成器件
智能像素是一種對輸入光信息具有自主處理能力，經(jīng)內(nèi)部光子回路或電子電路處理后，再以光波形式輸出信息的光子集成或光電子集成智能單元。為增強對光信號的處理能力，這種智能集成單元通常制作成垂直接收和發(fā)射光的陣...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1471 關(guān)鍵詞：微光電子集成智能像素概述微光電子
硅基電光F-P結(jié)構(gòu)調(diào)制器示意圖
F-P結(jié)構(gòu)[18]：如圖1所示。通過F－P腔形成選頻結(jié)構(gòu)｀透射峰值頻率相應(yīng)發(fā)生變化，從而實現(xiàn)對所用光波長的強度調(diào)制。容差小?！ D1 F-P結(jié)構(gòu)調(diào)制器示意圖 歡迎轉(zhuǎn)載，信息來自維庫電子市場網(wǎng)（m.58mhw.cn）
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：2209 關(guān)鍵詞：硅基電光F-P結(jié)構(gòu)調(diào)制器示意圖
硅基電光調(diào)制器Mach-Zehender結(jié)構(gòu)
Mach-Zehender結(jié)構(gòu)：通過M－Z結(jié)構(gòu)，改變其中一臂或兩臂折射率，使其產(chǎn)生折射率差，進行相位調(diào)制并產(chǎn)生干涉實現(xiàn)強度調(diào)制。特點是制作簡單，但器件尺寸偏大。M－Z干涉儀結(jié)構(gòu)如圖1所示。 圖1 M－Z干涉儀結(jié)構(gòu) 歡...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：2149 關(guān)鍵詞：硅基電光調(diào)制器Mach-Zehender結(jié)構(gòu)
從電學(xué)結(jié)構(gòu)分，可分為 （1）PIN結(jié)構(gòu)：通過PIN［15］結(jié)構(gòu)的正偏或反偏來實現(xiàn)載流子的注入或耗盡。其特點是制作工藝較簡單，集成度差，響應(yīng)頻率較低，從幾百kHz到幾MHz。如果截面做得小，則調(diào)制頻率可達幾十兆赫茲...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：3405 關(guān)鍵詞：硅基電光調(diào)制器分類
對于SOl波導(dǎo)來說，CVD技術(shù)一般用來淀積其上包層，通常為二氧化硅或氮化硅。對于調(diào)制器等有源器件來說，這一層還起著隔離金屬電極減小電極對波導(dǎo)造成損耗的作用，所以厚度一定要選擇合適，不能太薄，如果薄了就不能起...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1416 關(guān)鍵詞：波導(dǎo)SOl化學(xué)氣相沉積工藝特點
刻蝕即通過物理或化學(xué)的方法去除非光刻膠或硬掩膜覆蓋區(qū)域的材料。通常有兩種方法，分別為干法刻蝕和濕法刻蝕，它們各有優(yōu)缺點。但對于工藝靈活性、刻蝕精確度和可重復(fù)性等方面來說，干法刻蝕居主導(dǎo)地位。對于SOl波...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1349 關(guān)鍵詞：波導(dǎo)SOl刻蝕工藝特點
脊形光波導(dǎo)的尺寸主要是由光刻工藝決定的。光刻受周圍環(huán)境、設(shè)備條件等影響較大；所以，要保證光刻工藝的質(zhì)量，就需要對光刻有一個全面的認識。微電子工藝的關(guān)鍵尺寸（CriticalDimension）目前已經(jīng)減小至65nm，對于...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1505 關(guān)鍵詞：波導(dǎo)SOl光刻工藝特點
對于大截面的SOl光波導(dǎo)來說，頂層硅的厚度不一定能滿足要求。這時候就需要外延生長一定厚度的硅。一般的外延技術(shù)采用化學(xué)氣相沉積CVD（ChemicalVaporDeposition）來實現(xiàn)。CVD是一種利用氣體混合物發(fā)生反應(yīng)，從而在硅...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1391 關(guān)鍵詞：波導(dǎo)SOl硅外延生長工藝特點
將SIMOX和BESOI的步驟結(jié)合起來就形成了智能切割。將注入劑量為1017/cm2的氫離子注入到熱氧化的基片中，形成高斯分布的輪廓。基片表面到氫離子峰值濃度的距離取決于注入能量，通常在幾百納米到幾微米之間；而在氫離子...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1338 關(guān)鍵詞：基片的SOl智能切割
將兩種親水表面（如二氧化硅）緊密接觸可以形成很強的鍵合。這種現(xiàn)象使BESOI法在20世紀70年代就發(fā)展起來了?！ ESQI的制作分如下三個步驟：（1）氧化兩個基片，為鍵合做準(zhǔn)備；（2）化學(xué)鍵合兩個氧化基片；（3）減...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1598 關(guān)鍵詞：基片的SOl背部刻蝕和鍵合
氧注入分離法是將大量的氧離子注入到單晶硅片表面一層薄膜之下，對于大批量生產(chǎn)很有意義。雖然其工藝概念較簡單，但是對于器件級的SOl來說，其工藝冗余度卻比較低。我們通過注入劑量，即每平方厘米注入到基片中的離...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-03 閱讀：1460 關(guān)鍵詞：基片的SOl氧注入分離法
