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光電顯示/LED照明

SOl基片的制備

絕大部分的硅光子器件選擇SOl材料來做平臺。而我們通常用的SOl材料選擇硅的良好氧化物二氧化硅來做掩埋絕緣層,即硅在二氧化硅上。頂層硅和掩埋二氧化硅的厚度一般為微米量級,隨制作工藝的不同而不同。二氧化硅一般...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-03 閱讀:1470 關(guān)鍵詞:SOl基片的制備

硅中的光調(diào)制機制

調(diào)制即是通過施加電信號改變光波導中光的相位、強度和偏振等特征,以達到用光來傳輸信號的目的。硅的調(diào)制比較普遍的是利用載流子的注入或耗盡,而不是利用通常的電場效應(yīng),下面介紹幾種調(diào)制機制?! ?.普克爾效應(yīng) ...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-03 閱讀:3205 關(guān)鍵詞:硅中的光調(diào)制機制

直光波導中的輻射損耗

直光波導中的輻射損耗可以忽略,彎曲光波導和光波導制作過程中引入的光波導結(jié)構(gòu)畸變是輻射損耗的主要來源。彎曲損耗隨曲率半徑的減小而增大,尤其是小截面光波導,此時光的限制因子較小,更容易引起彎曲損耗。對于SO...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-03 閱讀:2008 關(guān)鍵詞:直光波導中的輻射損耗

半導體材料的吸收損耗

半導體材料的吸收主要來源于帶邊吸收、帶間吸收和自由載流子吸收。當光子能量大于禁帶寬度時,價帶中的電子就會被激發(fā)到導帶。所以傳輸光的波長要大于光波導材料吸收邊的波長,即導波的波長要大于1.1 gm。自由載流子...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-03 閱讀:2436 關(guān)鍵詞:半導體材料的吸收損耗

硅光波導中損耗的分類

光波導的散射分為兩種類型:體散射和界面散射。體散射是由于光波導體材料的缺陷造成的,如空洞、雜質(zhì)原子和晶格缺陷等。界面散射是由于光波導芯層和包層界面的粗糙度引起的。體散射在硅材料中一般可以忽略。但如離子...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-03 閱讀:3431 關(guān)鍵詞:硅光波導中損耗的分類

光波導的折射率及損耗系數(shù)

目前為止,我們認為折射率是實數(shù),但是一般情況下,它是一個復數(shù)。復折射率定義為   因此,有一項為exp(-kon1z),這一項經(jīng)常被寫為exp(- a),a稱為損耗系數(shù), 之所以包含在里面,是因為a通常為強度損耗...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-03 閱讀:4283 關(guān)鍵詞:光波導的折射率及損耗系數(shù)

有效折射率法進行脊形光波導結(jié)構(gòu)

SOl基片的構(gòu)成如圖1所示,頂層硅的厚度約為幾微米,做為光波導的芯層材料;掩埋氧化層的厚度一般為0.5 gm,作為光波導的下包層,防止光場從襯底泄漏掉,所以只要氧化層的厚度大于光模的消逝場的尺寸,光就可以被有效...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-02 閱讀:4006 關(guān)鍵詞:有效折射率法進行脊形光波導結(jié)構(gòu)

集成光電子學SOI光波導

集成光電子學無論在技術(shù)還是成本上都占有優(yōu)勢。對于III-V族化合物來說,硅材料和SOl(硅在絕緣體上)在基片處理成本,封裝密度等方面均占有優(yōu)勢。微電子工藝的發(fā)展水平使得集成光學的工藝很容易實現(xiàn)。目前集成光學的...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-02 閱讀:2330 關(guān)鍵詞:集成光電子學SOI光波導

光波導基本結(jié)構(gòu)

平板光波導的利用面非常有限,因為它只能導引光波沿著一個固定的方向傳播,這無疑限制了光波導的應(yīng)用;實際最長用的光波導結(jié)構(gòu)為三維光波導,它能自由地將光波導引到任意想要的方向。目前在OEIC中最常用的光波導結(jié)構(gòu)...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-02 閱讀:8617 關(guān)鍵詞:光波導基本結(jié)構(gòu)

波方程的限制因子

我們知道,并不是光波導中所有的光功率都在芯層內(nèi)部傳輸。而知道有多少功率在芯層內(nèi)部傳輸是十分重要的;它是比較光波導模式和光波導制作技術(shù)的重要因素。如光波導對模式限制強,則芯層內(nèi)部的光場能量就大,反之亦然...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-02 閱讀:2913 關(guān)鍵詞:波方程的限制因子

波方程的模場形狀

在已經(jīng)得出了場解后,就可以畫出其場分布和強度分布圖。為了描述多模特性,定義一個較大的多模光波導,參數(shù)如下:n1=3.5,n2=1.46,n3=3.5,λ0=1.55 gm,h=1.0um。芯層中的偶階模是余弦函數(shù),在包層中按指數(shù)規(guī)律...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-02 閱讀:1623 關(guān)鍵詞:波方程的模場形狀

波方程的化簡和求解

在這一部分,我們利用簡單的平板光波導結(jié)構(gòu)來化簡波方程。我們將利用偏振的m模(只在艿方向存在電場)來求解波方程。TM模(只在y方向存在電場)的求解過程與之類似。  將式(4-53)在笛卡兒坐標系下展開,可以得到...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-02 閱讀:2869 關(guān)鍵詞:波方程的化簡和求解

電磁場理論基礎(chǔ)

簡單的光波導理論可通過射線光學進行研究,但是要對光波導器件進行設(shè)計,就一定要用到波動光學的理論。波動光學的理論基礎(chǔ)即麥克斯韋方程組,它可以寫成4個耦合的方程,其中兩個標量方程,兩個矢量方程。它可以寫成...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-02 閱讀:2855 關(guān)鍵詞:電磁場理論基礎(chǔ)

模有效折射率

由式(4-21)和式(4-22)知道:  我們尤其對z方向的傳播常數(shù)感興趣,炻經(jīng)??梢杂忙聛肀硎荆鼈兪堑刃У??! ∥覀兛梢远x一個參數(shù)N,稱為有效折射率,表示為  這個公式與式(4-19)很相似,即可以把光波導...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-02 閱讀:5284 關(guān)鍵詞:模有效折射率

光傳輸?shù)膯文l件

對于給定的偏振光來說,我們通常使用的光波導只支持一個模式,即單模光波導。分析一下對稱平板光波導的特征值方程(4-26)??紤]二階模,即m=1,令它的傳輸角等于臨界角。在這樣的限定條件下,平方根內(nèi)的值約等于零...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-02 閱讀:3099 關(guān)鍵詞:光傳輸?shù)膯文l件

非對稱平板光波導

現(xiàn)在我們考慮更加復雜的非對稱平板光波導,如圖1所示,n2≠n3?! D1 非對稱平板光波導傳輸  我們可以用與對稱平板光波導類似的方法對其進行求解,只是上、下界面的邊界條件不同。這時咒模的特征值方程變?yōu)椤 ?..

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-02 閱讀:2993 關(guān)鍵詞:非對稱平板光波導

電子圖像顯示器件

圖像顯示器件是二維光信號的圖像與人的視覺之間的媒介。圖像具有豐富的信息量,伴隨著圖像的發(fā)射、傳輸、接收的國際化,電子圖像顯示器件將會起到越來越重要的作用。目前,電子圖像顯示器件主要有陰極射線管CRT顯示...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-02 閱讀:2019 關(guān)鍵詞:電子圖像顯示器件顯示器

并行光接收模塊

VSR光接收模塊的主要組成包括光電探測器二極管列陣、放大器、增益放大器、信號檢測電路,以及LVDS信號輸 出設(shè)備?! 」馔ㄐ畔到y(tǒng)中,光電探測器的作用是將光脈沖信號轉(zhuǎn)變成光生電流,并經(jīng)過前置放大等預(yù)處理后成為能...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-02 閱讀:2358 關(guān)鍵詞:并行光接收模塊光接收

并行光發(fā)射模塊的封裝技術(shù)

模塊的正常工作需要優(yōu)化的的封裝設(shè)計。一個好的封裝可以很好地保護內(nèi)部的組件,隔離外部干擾,并且還具有散熱、機械定位、提供內(nèi)部和外部的光,以及電連接等作用。設(shè)計恰當?shù)腣CSEL可擁有超過10GHz的自身帶寬。VCSEL...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-02 閱讀:2427 關(guān)鍵詞:并行光發(fā)射模塊的封裝技術(shù)光發(fā)射

光電探測器陣列CCD轉(zhuǎn)移特性

為了減小氧化層殘余電荷引起界面陷阱中心使載流子消失以提高轉(zhuǎn)移效率,可以在氧化層和襯底之間增加一層隱埋層使轉(zhuǎn)移溝道從表面移向體內(nèi)。由圖1(b)可以看出,勢能極小值脫離了界面進入了體內(nèi),避免了表面態(tài)的影響,...

分類:光電顯示/LED照明 時間:2008-12-02 閱讀:2952 關(guān)鍵詞:光電探測器陣列CCD轉(zhuǎn)移特性探測器

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