將SIMOX和BESOI的步驟結(jié)合起來就形成了智能切割。將注入劑量為1017/CM2的氫離子注入到熱氧化的基片中，形成高斯分布的輪廓?；砻娴綒潆x子峰值濃度的距離取決于注入能量，通常在幾百納米到幾微米之間；而在氫離子濃度的地方，晶格損傷也嚴重，價鍵也弱。

　　離子注入之后，將兩個同樣的基片（其中一片可以沒有熱氧化層）接觸并在室溫下鍵合。然后在600℃和1100 ℃下退火，基片就會在氫離子濃度處裂開。然后通過CMP減小表面的粗糙度。

　　由于氫的質(zhì)量較小，所以離子注入并不會對晶格造成很大的損傷，線位錯的密度一般小于10²/cm^-2，掩埋氧化層即熱氧化層，厚度為幾百納米到幾微米不等。

　　由于智能切割自由度大、質(zhì)量好、效率高，對于制作低成本的光子器件很適用，法國的SOITEC已有商品供應(yīng)。

　　SIMOX適合大批量生產(chǎn)，但離子注入損傷引起的粗糙度可能會使光場的損耗增加，而對于大截面的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)來說問題就不存在了。BESOI不存在離子注入損傷的問題，但減薄工藝會產(chǎn)生破壞，結(jié)果是兩個基片只能合成一個SOl的基片，這對于大規(guī)模生產(chǎn)是很不利的。SmartCut集合了前兩者的優(yōu)點。它既能重復(fù)生產(chǎn)，又易于剝離，而且剝離下來的硅片還可以重復(fù)利用。雖然氫離子也含造成損傷，但損傷較小。

　　歡迎轉(zhuǎn)載，信息來自維庫電子市場網(wǎng)（m.58mhw.cn）