氧注入分離法是將大量的氧離子注入到單晶硅片表面一層薄膜之下，對于大批量生產(chǎn)很有意義。雖然其工藝概念較簡單，但是對于器件級的SOl來說，其工藝冗余度卻比較低。

　　我們通過注入劑量，即每平方厘米注入到基片中的離子數(shù)來描述注入的總離子數(shù)。一般在SIMOX中需要總的注入劑量通常為>1018cm^-2，而通常CMOS工藝中的注入劑量為1016cm^-2，較SIMOX要小2個數(shù)量級。

　　氧離子以200 keY的能量注入到硅中，這個能量決定了氧化層的深度和表層硅的厚度。在低劑量注入的情況下，二氧化硅一般為高斯分布，而在高劑量注入并退火后，二氧化硅分布較均勻，可以認為它與上下兩硅層之間是突變的。

　　由于離子注入會在頂層硅引入缺陷，而這些缺陷如果控制不好的話會對傳輸?shù)墓庠斐奢^大的吸收；好在通過優(yōu)化工藝參數(shù)，這些缺陷己被減小到10²～10³cm^-2。

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