典型的LD光發(fā)射機(jī)框圖如圖1所示。主要包括如下?！ 。?）激光二極管：LD器件設(shè)計(jì)和制作，在第2章己經(jīng)有詳細(xì)介紹，這里不再贅述?！ 。?）波行整形：由線路編碼送給發(fā)射電路的時(shí)鐘，首先各通過一個(gè)門電路進(jìn)行整形，...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-02 閱讀：3681 關(guān)鍵詞：典型的LD光發(fā)射機(jī)LD光發(fā)射機(jī)
CM0S工藝是最為重要的微電子制造技術(shù)，具有廉價(jià)、可批量制造、成品率高等優(yōu)點(diǎn)。早期的CMOS工藝通常采用單阱工藝，單阱工藝只含一個(gè)阱（N阱或者P阱）。若為P型襯底則將NMOS直接制作在襯底上，而將PMOS寺刂作在N阱中；...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：3850 關(guān)鍵詞：基于硅基CMOS工藝的集成光電探測(cè)器SILICONCMOSLATCH探測(cè)器
對(duì)LED和LD的特性進(jìn)行比較可以知道：對(duì)于LD來說，它具有輸出功率大、光譜窄、能夠達(dá)到較高的調(diào)制速率等優(yōu) 點(diǎn)，它適應(yīng)于長(zhǎng)距離，高速大容量的光通信系統(tǒng)。而對(duì)LED來說，由于它的發(fā)射角較大，與光纖的耦合效率低，光 譜...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：3178 關(guān)鍵詞：LED發(fā)射器LED
圖1給出了一種基于透射深度相關(guān)的強(qiáng)波長(zhǎng)全硅彩色傳感器結(jié)構(gòu)陽(yáng)。彩色傳感器與所必需的電信號(hào)處理電路以雙極工藝集成在一起。 P+-N型光電二極管采用在電阻率p＝6Ω·cm的N型外延層上注入硼形成。光電二極管的P＋陽(yáng)...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：2176 關(guān)鍵詞：集成光電探測(cè)器彩色傳感器傳感器
在燃燒監(jiān)視等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合，需要某一個(gè)特定的對(duì)光譜特別敏感的光電探測(cè)器，在此光譜范圍內(nèi)，火焰發(fā)射的光比2 000 K溫度下的背景輻射（例如黑體輻射）要強(qiáng)得多。通常在波長(zhǎng)肛250～400 nm的紫外光譜范圍內(nèi)，火焰的光發(fā)...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：3448 關(guān)鍵詞：紫外（UV）光探測(cè)器探測(cè)器
基區(qū)－集電區(qū)pn結(jié)面積被擴(kuò)大了的NPN晶體管顯然可以被用做光電晶體管，結(jié)構(gòu)如圖1所示［40］?！ D1 一種纂于SBC工藝的光電晶體管 簡(jiǎn)單地說，雙極工藝制作的光電晶體管利用基區(qū)－集電區(qū)pn結(jié)作為一個(gè)光吸收的耗盡...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：4452 關(guān)鍵詞：光電晶體管晶體管
在不對(duì)工藝做任何修改的情況下，N＋埋層集電極可以被用做光電二極管的陰極，N型外延集電區(qū)可用做PIN光電二極管中的I層，而基極注入?yún)^(qū)則可以被用做陽(yáng)極，如圖1所示。這樣就使得在標(biāo)準(zhǔn)的雙極工藝中能夠集成帶有薄本征...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：3540 關(guān)鍵詞：集電極形成的PIN光電二極管二極管
圖1中給出了一種基于標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝的N+-p型光電二極管[36]，其中的N+區(qū)是由N+埋層以及插入的N+集電極注入形成，P區(qū)則是直接利用輕摻雜的P型襯底。圖中N＋區(qū)與P＋區(qū)的間距為5 gm，N＋區(qū)的面積被定義為光電探測(cè)器的面積...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：2308 關(guān)鍵詞：雙極工藝光電二極管二極管
目前，長(zhǎng)距離通信用的光接收器探測(cè)器都是用III-V族化合物材料制作的，其傳輸速率已經(jīng)超過了40Gb/s，然而，Ill-V族材料的光接收器和OEIC價(jià)格昂貴，對(duì)于短距離數(shù)據(jù)傳輸?shù)膽?yīng)用，例如局域網(wǎng)、光纖入戶和板級(jí)光互連等并不...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：1825 關(guān)鍵詞：基于硅基雙極型工藝的光電探測(cè)器CMOS探測(cè)器
光電探測(cè)器響應(yīng)度隨波長(zhǎng)變化曲線
在功率為15 W疝燈背入射下，測(cè)得光譜響應(yīng)曲線如圖1所示，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)為286 nm，適合在太陽(yáng)盲區(qū)工作。圖中六條不同曲線分別表示在0V、-1V、-2V、-3V、-4V、-5V偏壓下的響應(yīng)度，在沒有偏壓下響應(yīng)度為14.8 mA/W，相應(yīng)...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：7051 關(guān)鍵詞：光電探測(cè)器響應(yīng)度隨波長(zhǎng)變化曲線探測(cè)器
為了提高工作速度和響應(yīng)度，往往采用PIN結(jié)構(gòu)。PIN結(jié)構(gòu)GaN紫外光電探測(cè)器具有以下優(yōu)點(diǎn)：（1）由于高的勢(shì)壘，因此有較低的暗電流；（2）工作速度高；（3）高阻抗適于焦平面陣列讀出電路；（4）通過調(diào)整本征層的厚度可...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：4815 關(guān)鍵詞：GaN PIN光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)探測(cè)器
GaN基肖特基結(jié)構(gòu)紫外光電探測(cè)器
GaN光電導(dǎo)型探測(cè)器的缺點(diǎn)是光電導(dǎo)的持續(xù)性，即光生載流子不會(huì)隨入射光的消失而立刻消失，此效應(yīng)增加了光響應(yīng)時(shí)間降低了探測(cè)器工作速率。相比之下，GaN基肖特基結(jié)構(gòu)紫外光電探測(cè)器有較好的響應(yīng)度和更快的響應(yīng)速度。支...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：3988 關(guān)鍵詞：GaN基肖特基結(jié)構(gòu)紫外光電探測(cè)器探測(cè)器
采用Si襯底利用AIN做緩沖層的光導(dǎo)型探測(cè)器
Khan等人[25]在1992年報(bào)道了支高質(zhì)量GaN材料光電導(dǎo)探測(cè)器，它以藍(lán)寶石為襯底通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積（MOCVD）方法生長(zhǎng)而成。光響應(yīng)波長(zhǎng)為200～365 nm，在365nm處增益達(dá)6×103。在5 V的偏壓下響應(yīng)度可達(dá)2000 A/W。...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：1940 關(guān)鍵詞：采用Si襯底利用AIN做緩沖層的光導(dǎo)型探測(cè)器探測(cè)器
MSM是一種平面結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于和場(chǎng)效應(yīng)管單片集成實(shí)現(xiàn)OEIC光電子集成回路。如圖1所示。未摻雜的GaAs外延生長(zhǎng)在半絕緣襯底上，接著在GaAs表面淀積金屬形成肖特基二極管結(jié)構(gòu)，相互錯(cuò)開的電極各自加正負(fù)電壓使電極...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：3865 關(guān)鍵詞：光電MSM探測(cè)器探測(cè)器
載流子在倍增過程中會(huì)引起隧穿電流使APD噪聲顯著增加，特別是當(dāng)倍增區(qū)的禁帶寬度較窄時(shí)，這種隧穿電流變得相當(dāng)可觀，嚴(yán)重影響了APD的噪聲特性。為了減小這種隧穿電流，人們?cè)O(shè)計(jì)了一種將吸收區(qū)和倍增區(qū)分開（Separate...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：6221 關(guān)鍵詞：光電SAM-APD探測(cè)器探測(cè)器
在波長(zhǎng)為1.55 gm的長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域，由于鍺光電探測(cè)器遇到暗電流較大等問題，人們便轉(zhuǎn)向使用InP基材料。在InP襯底上生長(zhǎng)InGaAsP，通過調(diào)整化合物組分含量使它能在1.2～1.6 gm波長(zhǎng)范圍內(nèi)工作。圖1所示是最早出現(xiàn)的InGaAsP/...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：3736 關(guān)鍵詞：雪崩光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)和能帶探測(cè)器
光電探測(cè)器多量子阱MQW結(jié)構(gòu)APD
由于51的電子空穴離化率之比很高，用它制作的的雪崩二極管噪聲低，暗電流小。同時(shí)人們對(duì)51的特性有很深入的了解且加工工藝成熟，所以51材料被廣泛應(yīng)用于APD結(jié)構(gòu)中，而GaAs則較少使用。圖1 所示是一個(gè)GaAs/Al.45Ga0.5...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：5368 關(guān)鍵詞：光電探測(cè)器多量子阱MQW結(jié)構(gòu)APD探測(cè)器
雖然PIN結(jié)構(gòu)通過擴(kuò)展空間電荷區(qū)有效地提高了工作速度和量子效率，但是它無(wú)法將光生載流子放大，因此信噪比和靈敏度還不夠理想。為了能探測(cè)到微弱的入射光，我們希望光電探測(cè)器具有內(nèi)部增益，即少量的光生載流子在倍...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：4771 關(guān)鍵詞：光電APD探測(cè)器探測(cè)器
四元化合物In1-X，GaXAs1-yPy可以通過在InP襯底上外延生長(zhǎng)而獲得良好的晶格匹配。通過優(yōu)化艿和y值既可以保證晶格匹配又可以獲得需要的禁帶寬度。例如In0.53Ga。47As與InP完全匹配，并且其禁帶寬度所對(duì)應(yīng)的光譜吸收波...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：8508 關(guān)鍵詞：光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)示意圖探測(cè)器
盡管這一材料體系的PIN通常只含有AlGaSb，但摻雜少量的砷能減少晶格失配。該材料用LPE方法在350～500＇C溫度下生長(zhǎng)在GaSb襯底上，較低的溫度用來生長(zhǎng)重?fù)诫sP型，較高的溫度用來生長(zhǎng)N型，′通過用摻碲和摻鍺的方法來...
分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：6450 關(guān)鍵詞：光電PIN探測(cè)器探測(cè)器
