LED數(shù)碼顯示器的工作原理

LED數(shù)碼顯示器由發(fā)光二極管（LED）構(gòu)成“日”字型或“田”字型，發(fā)光二極管由磷砷化鎵或碳化硅等材料制成，當(dāng)給發(fā)光二極管的PN結(jié)兩端施加正向電壓時(shí)，電流加大，由于電子和空穴復(fù)合時(shí)釋放出的熱量而發(fā)光?！　ED數(shù)...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：7232 關(guān)鍵詞：LED數(shù)碼顯示器的工作原理CD4511LED顯示器

數(shù)碼顯示器與電平顯示器

為了便于操作人員了解自動(dòng)化系統(tǒng)的運(yùn)行工況，必要的顯示設(shè)備是必不可少的。顯示設(shè)備包括模擬顯示儀表中的指示指針、數(shù)字設(shè)備中的數(shù)碼顯示器、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)中的CRT顯示終端以及大屏幕顯示器等。電平顯示已成為數(shù)字...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：3026 關(guān)鍵詞：數(shù)碼顯示器與電平顯示器顯示器

偏離內(nèi)脊側(cè)壁的距離對(duì)載流子密度的影響

我們假定幾個(gè)偏移距離，分別為0.25μm、1μm和4μm，并給出模擬結(jié)果，如圖1所示。　　圖1 N+區(qū)偏離內(nèi)脊側(cè)壁的距離對(duì)載流子密度的影響　　由圖1我們可以看出，當(dāng)偏移量為0.25μm和1μm時(shí)載流子濃度變化不大，而當(dāng)偏...

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N+和P+區(qū)的深度對(duì)載流子密度的影響

N+和P+區(qū)的深度對(duì)載流子密度的影響可以模擬出來(lái)，但是如果P+區(qū)延伸較深的話就會(huì)深入到光場(chǎng)區(qū)，從而使光傳輸損耗加大。所以我們只考慮N+區(qū)變化的情況。考慮N+區(qū)深度分別為0.5um和1.2um兩種情況下載流子密度的變化。摻...

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脊寬和脊高對(duì)載流子密度的影響

首先考慮脊高對(duì)注入載流子密度的影響。我們這里考慮到脊高是圖1中刻蝕掉的深度矽。為了保證單模條件，這個(gè)深度一定要小于6.5/2=3.25 gm，所以我們?cè)趫D1中假設(shè)了3.2pm，這個(gè)深度對(duì)光場(chǎng)的限制較強(qiáng)；用Silvaco進(jìn)行模擬...

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光小目位脊形光波導(dǎo)基模調(diào)制器

在正向注入的情況下（即P+區(qū)相對(duì)于N+區(qū)接正偏壓），電子和空穴將注入到本征區(qū)，形成電流。因?yàn)檫@就是一個(gè)p-l-n二極管結(jié)構(gòu)，其導(dǎo)通電壓約為0.7 V，所以正偏電壓至少應(yīng)大于0.7 V。在一定偏壓下，載流子注入濃度與P+區(qū)...

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結(jié)構(gòu)調(diào)制器截面

我們有下列幾點(diǎn)需要考慮：　?、偌箤捄图垢叩拇_定；　?、贜+和P+區(qū)深度的確定；　?、跱+區(qū)偏離內(nèi)脊側(cè)壁距離的確定。　　我們現(xiàn)在要做的就是如何優(yōu)化各參數(shù)以使得器件性能。具體就是考慮載流子注入到光場(chǎng)區(qū)的密度和光...

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SEED器件耐壓特性測(cè)量

對(duì)列陣器件的耐壓特性做了測(cè)量，表為測(cè)量結(jié)果。造成個(gè)別器件耐壓值偏低的原因是多方面的，多量子阱i區(qū)本底濃度偏高，會(huì)使pln結(jié)構(gòu)中電場(chǎng)強(qiáng)度增大；材料生長(zhǎng)的不夠均勻（i區(qū)摻雜濃度不均勻）會(huì)使部分器件性能不完全一...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1524 關(guān)鍵詞：SEED器件耐壓特性測(cè)量SEED

SEED器件微區(qū)光反射譜測(cè)量

反射型SEED光調(diào)制開關(guān)列陣，要求多量子阱結(jié)構(gòu)在激子吸收波段的光反射特性具有良好的電場(chǎng)調(diào)制作用。器件 工作時(shí)，光垂直于器件表面從P區(qū)入射，經(jīng)過(guò)多量子阱i區(qū)時(shí)，一部分光被i區(qū)吸收，透射過(guò)i區(qū)的光被底部DBR高反 射...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：2439 關(guān)鍵詞：SEED器件微區(qū)光反射譜測(cè)量SEED

SEED列陣設(shè)計(jì)與制備

1． 1×20 SEED列陣　　SEED智能像素集光探測(cè)器、光調(diào)制器和邏輯功能電路于一體，SEED器件是智能像素的。我們?cè)O(shè)計(jì)了適用于 倒裝焊結(jié)構(gòu)的1×20 SEED列陣，SEED器件面積為160 gm×60μm，電極焊盤面積為40μm×40μm，...

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光反射譜測(cè)量

我們采用了MBE技術(shù)生長(zhǎng)多量子阱結(jié)構(gòu)，襯底材料為半絕緣GaAs。在生長(zhǎng)時(shí)先在半絕緣襯底上生長(zhǎng)一層N＋GaAs作為N型電極，緊接著在其上生長(zhǎng)20.5個(gè)周期的AlAs／AlGaAsDBR，在DBR和多量子阱區(qū)之間生長(zhǎng)N型和i型AlGaAs緩沖層...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1488 關(guān)鍵詞：光反射譜測(cè)量光反射譜

常關(guān)型量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

一般常關(guān)型SEED器件的量子阱數(shù)目都取50個(gè)左右，圖1和圖2分別是常關(guān)型器件量子阱結(jié)構(gòu)和計(jì)算的反射譜。要 獲得高的對(duì)比度必須使低態(tài)反射率基本為零，這樣就要利用ASFP腔的調(diào)制作用。非對(duì)稱F－P腔的模式波長(zhǎng)在100 kV/c...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1491 關(guān)鍵詞：常關(guān)型量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常關(guān)型

常通型器件量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

對(duì)于常通型器件，要獲得高態(tài)反射率大于50％，低態(tài)反射率接近為零的器件，量子阱數(shù)目需75～100對(duì)，為了減 小工作電壓，對(duì)應(yīng)較少的量子阱數(shù)目，在器件頂部增加DBR可增大器件頂部反射率，2對(duì)λ/4光學(xué)厚度的A10.1 GaO.9...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：2474 關(guān)鍵詞：常通型器件量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常通型器件

SEED列陣研制適合于倒裝焊結(jié)構(gòu)的量子阱外延材料

1．量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)　　多量子阱吸收區(qū)的設(shè)計(jì)主要應(yīng)考慮阱寬、壘寬、阱深和阱的數(shù)目的選取。吸收區(qū)中所采用的異質(zhì)結(jié)構(gòu)為 GaAs/Ga1-xAlxAs材料系的多量子阱，組分x取為0.3左右。阱寬的選擇首先應(yīng)考慮使激子吸收峰處于...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：2574 關(guān)鍵詞：SEED列陣研制適合于倒裝焊結(jié)構(gòu)的量子阱外延材料SEED

頂注入對(duì)稱相位調(diào)制器結(jié)構(gòu)

為了在半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)載流子注入，我們需要在器仵中建立電流通路。最簡(jiǎn)單的辦法就是·利用pn結(jié)。因?yàn)閜n結(jié)在P區(qū)和N區(qū)需要較高的摻雜濃度，所以如果將其設(shè)置在光功率聚集的地方就會(huì)對(duì)光場(chǎng)造成較大的損耗。通常我們采用如...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1523 關(guān)鍵詞：頂注入對(duì)稱相位調(diào)制器結(jié)構(gòu)

光小目位調(diào)制器位移電流方程

對(duì)于時(shí)域模擬，位移電流需要進(jìn)行計(jì)算和保存。位移電流的表達(dá)式為進(jìn)行求解之前，需要對(duì)擬解決的問(wèn)題進(jìn)行定義。這一過(guò)程一般包含以下步驟：①定義待模擬器件的物理結(jié)構(gòu)參數(shù)，并對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行合理的網(wǎng)格劃分；②對(duì)各個(gè)物...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：1818 關(guān)鍵詞：光小目位調(diào)制器位移電流方程

光小目位調(diào)制器漂移-擴(kuò)散模型

根據(jù)玻耳茲曼傳輸方程，載流子連續(xù)性方程中的電流密度可以通過(guò)漂移－擴(kuò)散模型來(lái)表達(dá)。在這種情況下，電流密度用費(fèi)米能級(jí)￠n和￠p表示為　　式中，μn和μp分別為電子和空穴的遷移率；準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)同載流子濃度和電勢(shì)通...

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SEED智能像素制備工藝

根據(jù)國(guó)內(nèi)CMOS工藝和倒裝焊接的技術(shù)水平及所研制的SEED列陣特點(diǎn)，本課題組設(shè)計(jì)出CMOS－SEED智能像素工藝實(shí) 現(xiàn)方案。首先將SEED器件和CMOS電路分別制作在GaAs/AlGaAs MQW材料和Si晶片上，在CMOS集成電路和SEED列陣芯 ...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-03 閱讀：2164 關(guān)鍵詞：SEED智能像素制備工藝SEED智能像素