SOl基片的構(gòu)成如圖1所示，頂層硅的厚度約為幾微米，做為光波導(dǎo)的芯層材料；掩埋氧化層的厚度一般為0.5 gm，作為光波導(dǎo)的下包層，防止光場從襯底泄漏掉，所以只要氧化層的厚度大于光模的消逝場的尺寸，光就可以被有效的限制。表面一般也要淀積一層氧化層，作為上包層。

　　由于硅與二氧化硅之間大的相對(duì)折射率差（約42%），所以一般將SOl做成脊形光波導(dǎo)，下面我們就對(duì)SOl的脊形光波導(dǎo)利用有效折射率法進(jìn)行較詳細(xì)的分析。

　　有效折射率法的基本概念我們已經(jīng)敘述過了，下面講—下如何用有效折射率法來分析脊形光波導(dǎo)的傳播常數(shù)。如圖2所示。

　　圖1  SOl光波導(dǎo)截面圖

　　圖2  有效折射率法進(jìn)行脊形光波導(dǎo)分析

　　我們可以先求解一個(gè)方向平板光波導(dǎo)的特征值方程，然后用這個(gè)有效折射率作為第二個(gè)平板光波導(dǎo)的芯層折射率，注意考慮這里的偏振問題。當(dāng)我們考慮一個(gè)豸方向偏振的（TE偏振）的電場，當(dāng)求解y方向三層平板光波導(dǎo)時(shí)用TB特征值方程，而在求解艿方向三層平板光波導(dǎo)時(shí)用TM特征值方程。

　　求解脊形光波導(dǎo)的有效折射率法稍微復(fù)雜一些，因?yàn)樾緦觾蛇叺恼凵渎恃匦緦痈叨鹊姆较虿⒉皇浅?shù)。因此，當(dāng)求解分解二維光波導(dǎo)的個(gè)部分時(shí)，我們不僅需要找到芯層的有效折射率，還有兩邊平板區(qū)包層的有效折射率，這樣才能繼續(xù)求解第二部分。

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