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IRFD120

更新時間:2025-07-03 15:24:47

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IRFD120 概述

IRFD120是由International Rectifier公司（現為英飛凌的一部分）生產的N溝道增強型MOSFET。該器件設計用于高效功率管理應用，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏極-源極電壓（Vds）為100V，連續(xù)漏極電流（Id）可達4.4A。封裝形式為TO-251，適合表面貼裝工藝。典型應用場景包括直流電機驅動、電源轉換器、逆變器以及各種功率控制電路。在電機驅動中，它能夠有效降低功耗并提高效率；在電源轉換器里，則可實現快速且穩(wěn)定的開關操作。使用時需注意柵極驅動電壓的選擇以確保完全開啟，推薦驅動電壓范圍為10V至20V。對于高頻應用，應優(yōu)化柵極電阻值以減少開關損耗。電路設計時要確保良好的散熱條件，避免過熱導致性能下降或損壞。

IRFD120 規(guī)格參數

數據列表
IRFD120
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫歐 @ 780mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
360pF @ 25V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應商設備封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝
管件
其它名稱
*IRFD120IRFD121IRFD122

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