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IRFD110

更新時間:2025-05-21 02:08:43

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產(chǎn)品型號
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數(shù)量
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封裝/批號
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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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IRFD110 概述

IRFD110是由International Rectifier公司（現(xiàn)已被Infineon收購）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。它常用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池管理電路、負載開關(guān)以及電機驅(qū)動等場合。在這些應(yīng)用場景中，IRFD110能夠高效地控制電流的通斷，減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。使用時應(yīng)注意其最大漏極電流為4.2A，確保不超過此限值以避免損壞器件。此外，在進行PCB布局設(shè)計時，盡量減小源極和漏極引腳的走線長度，以降低寄生電感對開關(guān)性能的影響。對于簡單的負載開關(guān)電路，可以將柵極通過限流電阻連接到控制信號端，源極接地，漏極接負載，從而實現(xiàn)對負載的有效控制。

IRFD110 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFD110
標準包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
540 毫歐 @ 600mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
180pF @ 25V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝
管件
其它名稱
*IRFD110IRFD111IRFD112

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IRFD110
IRFD110PBF
IRFD010
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IRFD020
IRFD024
IR2103S

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