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IRFD210PBF

更新時間:2025-06-13 02:29:26

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IRFD210PBF 概述

IRFD210PBF是國際整流器公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET，采用D-PAK封裝。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種功率管理應用。其最大漏極電流可達12A，在柵極電壓為10V時，導通電阻僅為0.145歐姆。該MOSFET廣泛應用于電源管理、電機驅動、DC-DC轉換器以及逆變器等場景。在實際應用中，建議在電路設計時注意柵極驅動電壓的選擇以確保完全開啟MOSFET。此外，為了減少開關損耗并提高效率，應優(yōu)化柵極電阻值。在使用過程中需考慮散熱措施，避免因過熱導致性能下降或損壞。典型電路設計中，可將其用于同步降壓轉換器的上管或下管，配合合適的控制芯片實現(xiàn)高效穩(wěn)定的電壓轉換功能。

IRFD210PBF 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFD210
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
600mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 歐姆 @ 360mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 25V
功率 - 最大
1W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應商設備封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝
管件
其它名稱
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