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IRFD123

更新時間:2025-05-21 02:08:47

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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IRFD123 概述

IRFD123是由國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌旗下品牌）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用D-PAK封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種功率管理應(yīng)用。其最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達5.8A，適合在DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動電路以及電源管理系統(tǒng)中使用。在實際應(yīng)用中，IRFD123常用于需要高效電能轉(zhuǎn)換的場合，例如筆記本電腦、消費電子設(shè)備中的電源模塊。設(shè)計時應(yīng)注意確保柵極驅(qū)動電壓足夠高以保證MOSFET完全導通，減少導通損耗。此外，在布局PCB時應(yīng)盡量縮短源極與柵極之間的連線長度，以減小寄生電感對開關(guān)性能的影響。對于高頻應(yīng)用，還需考慮并聯(lián)適當?shù)臇艠O電阻來優(yōu)化開關(guān)速度。

IRFD123 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
100 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
1.3 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
270 mOhms
配置
Single Dual Drain
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
HexDIP-4
封裝
Tube
下降時間
27 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
1300 mW
上升時間
27 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關(guān)閉延遲時間
18 ns

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IRFD024PBF
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