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IRFD110PBF

更新時間:2025-06-13 01:42:52

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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只做原裝更多數(shù)量在途訂單

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一級供應(yīng)商十三年品牌專營

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IRFD110PBF 概述

IRFD110PBF是由英飛凌生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，適用于多種功率管理應(yīng)用。其典型應(yīng)用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電源開關(guān)、電機驅(qū)動以及負載切換等電路中。由于其具備快速開關(guān)速度和低柵極電荷，有助于提高系統(tǒng)效率并減少開關(guān)損耗。在實際應(yīng)用時，需注意柵極電壓應(yīng)確保在規(guī)定范圍內(nèi)以實現(xiàn)最佳導(dǎo)通性能，且散熱設(shè)計要合理以避免過熱損壞。對于電機驅(qū)動應(yīng)用，建議在源極串聯(lián)一個小阻值電阻來抑制啟動電流沖擊。

IRFD110PBF 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFD110
標準包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
540 毫歐 @ 600mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
180pF @ 25V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝
管件
其它名稱
*IRFD110PBF

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電話：18122499796
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