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IRFD120PBF

更新時間:2025-05-15 20:40:24

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IRFD120PBF 概述

IRFD120PBF是國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌旗下品牌）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏極-源極電壓為200V，連續(xù)漏極電流可達5.8A。該MOSFET適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等應用場合。在實際應用中，IRFD120PBF常被用于功率轉(zhuǎn)換電路中作為開關(guān)元件。由于其較低的柵極電荷，可以實現(xiàn)高效的開關(guān)操作，減少開關(guān)損耗。使用時應注意保證柵極驅(qū)動電壓足夠高以確保完全導通，并且需要適當?shù)纳岽胧┮苑乐惯^熱損壞。在設計電路時，可參考數(shù)據(jù)手冊中的推薦電路布局來優(yōu)化性能。

IRFD120PBF 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFD120
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫歐 @ 780mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
360pF @ 25V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應商設備封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝
管件
其它名稱
*IRFD120PBF

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