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  • IR新型隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器工作效率達(dá)97%

    dc總線轉(zhuǎn)換器,體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外,irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計的芯片組包括ir2086s初級全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet,其中4顆irf6646 80v directfet初級mosfet,4顆irf6635 30v directfet次級同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet)用于偏置開關(guān)和次級箝位(2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet)。ir2086s全橋式控制器在高頻率(可高達(dá)500khz)下工作,可利用一個集成的軟啟動電容器將占空比經(jīng)2,000周期逐步增加到50%,以限制啟動時的電流沖擊,并在整個啟動過程保持高側(cè)和低側(cè)mosfet的脈寬相等。 新款參考設(shè)計包括完整的irdc2086-330w電路板,以及存有用戶指南、數(shù)據(jù)資料、pcb文件及應(yīng)用說明書等資料的cd光盤。irdc2086-330w dc總線轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計現(xiàn)已供貨,每套250美元。 來源:小草

  • IR推出新型330W隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計

    非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器,體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外,irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計的芯片組包括ir2086s初級全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet,其中4顆irf6646 80v directfet初級mosfet,4顆irf6635 30v directfet次級同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet)用于偏置開關(guān)和次級箝位(2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet)。ir2086s全橋式控制器在高頻率(可高達(dá)500khz)下工作,可利用一個集成的軟啟動電容器將占空比經(jīng)2,000周期逐步增加到50%,以限制啟動時的電流沖擊,并在整個啟動過程保持高側(cè)和低側(cè)mosfet的脈寬相等。 新款參考設(shè)計包括完整的irdc2086-330w電路板,以及存有用戶指南、數(shù)據(jù)資料、pcb文件(gerber、.dxf、.cad)及應(yīng)用說明書等資料的cd光盤。 irdc2086-330w dc總線轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計現(xiàn)已供貨,每套

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    非穩(wěn)壓dc總線轉(zhuǎn)換器,體積比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚穩(wěn)壓器縮小30%。此外,irdc2086-330w將功率轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目從3顆ic及14顆場效應(yīng)管減少到一顆ic和8顆場效應(yīng)管。 新款參考設(shè)計的芯片組包括ir2086s初級全橋控制ic和8顆功率轉(zhuǎn)換mosfet,其中4顆irf6646 80v directfet初級mosfet,4顆irf6635 30v directfet次級同步mosfet。小型mosfet(采用so-8封裝的irf7830 80v mosfet)用于偏置開關(guān)和次級箝位(2顆irf6621 30v小罐式directfet mosfet)。 ir中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示:“ir在ir2086s控制ic上使用的高壓ic技術(shù)與一流的directfet mosfet封裝技術(shù)配合,可使溫度比標(biāo)準(zhǔn)方案降低40°c,從而增加系統(tǒng)的可靠性。” ir2086s全橋式控制器在高頻率(可高達(dá)500khz)下工作,可利用一個集成的軟啟動電容器將占空比經(jīng)2,000周期逐步增加到50%,以限制啟動時的電流沖擊,并在整個啟動過程保持高側(cè)和低側(cè)mosfet的脈寬相等。 新款參考設(shè)計包括完整的ir

  • IR新型隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器工作效率達(dá)97%

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