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IR MOSFET及控制芯片組方案
設(shè)計，該芯片組能有效節(jié)省多達(dá)50% 的電路板空間，并可減少60% 的組件數(shù)目。 ir2086s設(shè)有一個集成軟啟動電容器，能在2,000余個周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%，以限制在啟動階段輸入的電流；同時在整個啟動過程中為全橋的高、低端mosfet保持相同的脈沖寬度。新器件的其它特點包括自恢復(fù)電流限制保護(hù)、(1.2a柵驅(qū)動電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500khz的可編程開關(guān)頻率。設(shè)計師可從100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四種directfet mosfet選擇所需產(chǎn)品，組成完整的芯片組。這些mosfet采用ir最新技術(shù)及directfet封裝，能大幅優(yōu)化導(dǎo)通電阻、柵電荷等重要器件指標(biāo)。由于器件溫度更低，因此無需在初級部分添加并行器件，即可滿足更高電流要求。整體而言，irf6644可提升約46% 輸出功率，并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級和次級部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案，irf6644的導(dǎo)通電阻降低了約48%。 irf6644的組合式導(dǎo)通電阻與柵電荷的主要指標(biāo) 優(yōu)于同類方案45%。
用于下一代分布電源結(jié)構(gòu)的直流總線變換器和負(fù)載點電源模塊技術(shù)
ir2085s 控制器和驅(qū)動器ic 驅(qū)動兩個irf6644 低電荷directfet封裝功率mosfet，它是100v 的n-溝道功率mosfet。初級的偏置電壓通過一個線性穩(wěn)壓器來獲得，并用于啟動，然后在穩(wěn)態(tài)下由變壓器獲得。irf7380，是雙80v n-溝道功率mosfet，集成在so-8封裝內(nèi)，被用于獲得該功能。在次級，新穎的30v n-溝道irf6612 或irf6618 directfet封裝功率mosfet用于自驅(qū)動的同步整流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中。對于12v輸出應(yīng)用來說，新型的40v n-溝道irf6613 可用作同步整流mosfet，這個單元在小于1/8磚的外形達(dá)到了超過96%的效率，跟傳統(tǒng)相比，效率大約高出3-5%，體積減少了50%，是完全穩(wěn)壓的、板上安裝的功率變換器。在比較直流總線變換器的directfet封裝與標(biāo)準(zhǔn)的so-8產(chǎn)品的性能時，這里有一些重要的結(jié)果。so-8產(chǎn)品由于熱能力的原因限制功率在150w，除此之外， so-8產(chǎn)品經(jīng)常并聯(lián)使用。為了作比較，在半橋總線交換器的初級比較使用100v 的so-8產(chǎn)品和100v的 directfet產(chǎn)品時，directfet產(chǎn)品(

IR MOSFET及控制芯片組方案
組能有效節(jié)省多達(dá)50% 的電路板空間，并可減少60% 的組件數(shù)目。 ir2086s設(shè)有一個集成軟啟動電容器，能在2,000余個周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%，以限制在啟動階段輸入的電流；同時在整個啟動過程中為全橋的高、低端mosfet保持相同的脈沖寬度。新器件的其它特點包括自恢復(fù)電流限制保護(hù)、(1.2a柵驅(qū)動電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500khz的可編程開關(guān)頻率。設(shè)計師可從100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四種directfet mosfet選擇所需產(chǎn)品，組成完整的芯片組。這些mosfet采用ir最新技術(shù)及directfet封裝，能大幅優(yōu)化導(dǎo)通電阻、柵電荷等重要器件指標(biāo)。由于器件溫度更低，因此無需在初級部分添加并行器件，即可滿足更高電流要求。整體而言，irf6644可提升約46% 輸出功率，并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級和次級部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案，irf6644的導(dǎo)通電阻降低了約48%。 irf6644的組合式導(dǎo)通電阻與柵電荷的主要指標(biāo) 優(yōu)于同類方案

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