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IR MOSFET及控制芯片組方案
有效節(jié)省多達(dá)50% 的電路板空間，并可減少60% 的組件數(shù)目。 ir2086s設(shè)有一個(gè)集成軟啟動(dòng)電容器，能在2,000余個(gè)周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%，以限制在啟動(dòng)階段輸入的電流；同時(shí)在整個(gè)啟動(dòng)過程中為全橋的高、低端mosfet保持相同的脈沖寬度。新器件的其它特點(diǎn)包括自恢復(fù)電流限制保護(hù)、(1.2a柵驅(qū)動(dòng)電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時(shí)間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500khz的可編程開關(guān)頻率。設(shè)計(jì)師可從100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四種directfet mosfet選擇所需產(chǎn)品，組成完整的芯片組。這些mosfet采用ir最新技術(shù)及directfet封裝，能大幅優(yōu)化導(dǎo)通電阻、柵電荷等重要器件指標(biāo)。由于器件溫度更低，因此無需在初級(jí)部分添加并行器件，即可滿足更高電流要求。整體而言，irf6644可提升約46% 輸出功率，并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級(jí)和次級(jí)部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案，irf6644的導(dǎo)通電阻降低了約48%。 irf6644的組合式導(dǎo)通電阻與柵電荷的主要指標(biāo) 優(yōu)于同類方案45%。其導(dǎo)通電阻與兩個(gè)

IR MOSFET及控制芯片組方案
50% 的電路板空間，并可減少60% 的組件數(shù)目。 ir2086s設(shè)有一個(gè)集成軟啟動(dòng)電容器，能在2,000余個(gè)周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%，以限制在啟動(dòng)階段輸入的電流；同時(shí)在整個(gè)啟動(dòng)過程中為全橋的高、低端mosfet保持相同的脈沖寬度。新器件的其它特點(diǎn)包括自恢復(fù)電流限制保護(hù)、(1.2a柵驅(qū)動(dòng)電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時(shí)間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500khz的可編程開關(guān)頻率。設(shè)計(jì)師可從100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四種directfet mosfet選擇所需產(chǎn)品，組成完整的芯片組。這些mosfet采用ir最新技術(shù)及directfet封裝，能大幅優(yōu)化導(dǎo)通電阻、柵電荷等重要器件指標(biāo)。由于器件溫度更低，因此無需在初級(jí)部分添加并行器件，即可滿足更高電流要求。整體而言，irf6644可提升約46% 輸出功率，并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級(jí)和次級(jí)部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案，irf6644的導(dǎo)通電阻降低了約48%。 irf6644的組合式導(dǎo)通電阻與柵電荷的主要指標(biāo) 優(yōu)于同類方案45%。其導(dǎo)通電

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