IRF6614
6000
DIRECTFET/23+
專注電子元件十年,只做原裝現(xiàn)貨
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60701
-/24+
深圳原裝現(xiàn)貨,可看貨可提供拍照
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9000
DirectFET Isometric ST/23+
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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5000
N/A/25+
只做原裝,價(jià)格市場
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6000
DIRECTFET/22+
終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單
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10000
-/24+
原裝,一站式BOM表配單
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15988
SMD/25+
助力國營二十余載,一站式BOM配單
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9800
N/A/1808+
原裝正品,亞太區(qū)混合型電子元器件分銷
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10000
DIRECTFET ST/-
原裝現(xiàn)貨,可開票,提供賬期誠信服務(wù)
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28683
QFN8/21+
原裝現(xiàn)貨終端免費(fèi)提供樣品
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8000
PQFN5x6B/25+
原裝現(xiàn)貨,支持BOM配單
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1200
ECDIRECTFET/20+
現(xiàn)貨 如非原裝 假一罰十
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9000
/2025+
公司原裝現(xiàn)貨庫存,支持實(shí)單
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5000
-/25+
原裝現(xiàn)貨,提供一站式配單服務(wù)
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28000
-/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢(shì)商全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨原盒原包
IRF6614
41001
-/24+
大量現(xiàn)貨,提供一站式配單服務(wù)
IRF6614
51300
-/24+
原裝現(xiàn)貨,可提供訂貨服務(wù)
IRF6614
20000
DIP8SO8/2024+
17%原裝.深圳送貨
IRF6614
4800
DIRECTFET ST/19+/20+
100%進(jìn)口原裝長期供應(yīng)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠信經(jīng)營)
IRF6614
DirectFET Power MOSFET
IRF
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IRF6614
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6614PDF下載
IRF6614TRPBF
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
IRF6614TRPBFPDF下載
IRF6614TRPBF
Benchmark MOSFETs Product Selection ...
IRF
IRF6614TRPBFPDF下載
有效節(jié)省多達(dá)50% 的電路板空間,并可減少60% 的組件數(shù)目。 ir2086s設(shè)有一個(gè)集成軟啟動(dòng)電容器,能在2,000余個(gè)周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%,以限制在啟動(dòng)階段輸入的電流;同時(shí)在整個(gè)啟動(dòng)過程中為全橋的高、低端mosfet保持相同的脈沖寬度。 新器件的其它特點(diǎn)包括自恢復(fù)電流限制保護(hù)、(1.2a柵驅(qū)動(dòng)電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時(shí)間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500khz的可編程開關(guān)頻率。 設(shè)計(jì)師可從100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四種directfet mosfet選擇所需產(chǎn)品,組成完整的芯片組。這些mosfet采用ir最新技術(shù)及directfet封裝,能大幅優(yōu)化導(dǎo)通電阻、柵電荷等重要器件指標(biāo)。 由于器件溫度更低,因此無需在初級(jí)部分添加并行器件,即可滿足更高電流要求。整體而言,irf6644可提升約46% 輸出功率,并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級(jí)和次級(jí)部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案,irf6644的導(dǎo)通電阻降低了約48%。 irf6644的組合式導(dǎo)通電阻與柵電荷的主要指標(biāo) 優(yōu)于同類方案45%。其導(dǎo)通電阻與兩個(gè)
50% 的電路板空間,并可減少60% 的組件數(shù)目。 ir2086s設(shè)有一個(gè)集成軟啟動(dòng)電容器,能在2,000余個(gè)周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%,以限制在啟動(dòng)階段輸入的電流;同時(shí)在整個(gè)啟動(dòng)過程中為全橋的高、低端mosfet保持相同的脈沖寬度。 新器件的其它特點(diǎn)包括自恢復(fù)電流限制保護(hù)、(1.2a柵驅(qū)動(dòng)電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時(shí)間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500khz的可編程開關(guān)頻率。 設(shè)計(jì)師可從100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四種directfet mosfet選擇所需產(chǎn)品,組成完整的芯片組。這些mosfet采用ir最新技術(shù)及directfet封裝,能大幅優(yōu)化導(dǎo)通電阻、柵電荷等重要器件指標(biāo)。 由于器件溫度更低,因此無需在初級(jí)部分添加并行器件,即可滿足更高電流要求。整體而言,irf6644可提升約46% 輸出功率,并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級(jí)和次級(jí)部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案,irf6644的導(dǎo)通電阻降低了約48%。 irf6644的組合式導(dǎo)通電阻與柵電荷的主要指標(biāo) 優(yōu)于同類方案45%。其導(dǎo)通電