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IR DirectFET MOSFET芯片組
l rectifier，簡稱ir）近日推出兩款新型的30v directfet mosfet同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組。新品適用于安裝了最新款intel和amd處理器的筆記本電腦設計，滿足其更小體積、更高效率和良好散熱的要求。新品的每一款芯片組都包含一個控制mosfet和一個同步mosfet，而每個器件都經(jīng)過特別設計，在同步dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器電路中發(fā)揮最佳性能。控制mosfet具有更低的開關(guān)損耗，同步mosfet的傳導損耗更低（低導通電阻），逆向恢復電荷也很低。其中一款芯片組包含irf6617控制場效應管和irf6611同步場效應管，能在高密度、空間有限的電路板中達到最佳的性能，每個功率通道可達20a。另一款芯片組則包含irf6637控制場效應管和irf6678同步場效應管，適用于每個功率通道高于20a的應用，可有效提升熱性能。 irf6617控制場效應管采用小罐（st）directfet封裝，irf6637控制場效應管則采用中罐（mp）directfet封裝。為了方便修改現(xiàn)有設計，兩款同步場效應管都采用中罐（mx）directfet封裝，可以輕松地將irf6611替換為ir
降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇
本文介紹美信公司的max8720單相降壓式dc/dc控制器及飛兆公司的多相降壓式dc/dc控制器fan5019b組成的電路中的mosfet損耗計算。損耗計算公式是非常簡單的，關(guān)鍵是如何從mosfet樣本或數(shù)據(jù)資料中正確地選取有關(guān)參數(shù)。 mosfet主要參數(shù)的選取 id及pd值的選取 mosfet的資料中，漏極電流id及允許耗散功率pd值在不同條件下是不同的，其數(shù)值相差很大。例如，n溝道功率mosfet irf6617的極限參數(shù)如表1所示。表1 連續(xù)工作狀態(tài)下的極限值最大漏極電流idm=120a(以最大結(jié)溫為限的脈沖狀態(tài)工作)。不同的mosfet生產(chǎn)廠家對id及pd的表達方式不同。例如，安森美公司的ntmfs4108n的id及pd參數(shù)如表2所示。表2最大極限值(tj=25℃，否則另外說明) 最大漏電
IR推出XPhase 控制IC
）近日為用于服務器和工作站的amd opteron（皓龍）和 athlon（速龍）64 處理器推出了ir3082多相控制ic。 ir3082的推出延伸了ir xphase可擴展多相ic的產(chǎn)品種類，與directfet 功率mosfet相配合，為中高檔服務器、電壓調(diào)節(jié)器模組（vrm）和大電流電信應用提供了最佳的多相dc-dc功率解決方案。 ir3086a相位ic和ir3082控制ic以其完善的性能和靈活性實現(xiàn)了完整的opteron和athlon 64功率解決方案。以每個相位采用一顆irf6617控制fet和一顆irf6691同步fet的12v四相設計為例，在80a輸出電流的情況下，可實現(xiàn)高達86％的輸出效率。 ir xphase結(jié)構(gòu)與其他固定相位數(shù)的多相解決方案不同，它能夠?qū)崿F(xiàn)可擴展的多相設計。ir3082只需配合5位電壓編程及少量外置元件即可工作，可以簡化一般應用及不針對特定處理器的多相應用。：“ ir3082在5位電壓識別碼（vid）的情況下，系統(tǒng)的整體精度為1.0%。其自適應電壓定位功能，可在保持輸出電壓容差的同時，降低對輸出電容器的要求。該元件還設有ir專利的截
IR新型XPhase 控制IC
國際整流器公司（international rectifier，簡稱ir）近日推出ir3084和ir3084u兩款xphase 控制ic，延伸了ir xphase可擴展多相轉(zhuǎn)換器芯片組產(chǎn)品。新的ic能夠與ir現(xiàn)有的ir3086a相位ic和irf6617、irf6691等directfet功率mosfet配合使用，在130a的應用中實現(xiàn) 7相位，可比5相位的設計提高3%的工作效率。 ir3084符合intel vr10.x和vr11微處理器核心電源的要求，而ir3084u則是一款通用電壓識別（vid）器件，是同時針對vr10.x和vr11及amd opteron vid代碼和啟動序列的產(chǎn)品。 xphase芯片組是為增強臺式機、服務器、穩(wěn)壓模塊（vrm）和嵌入式系統(tǒng)的功率密度和效率而設計的。由于相位數(shù)目由5個增加到7個，每相位電流也相應下降，因此設計人員可以使用更小型的電感器和更少的輸出電容器。這將使電路面積由3,200 mm2減小到2,400 mm2，節(jié)省了25%的電路板面積。 7相位的ir3084解決方案包含ir6617和irf6691 功率mosfet，可在滿載電流下

IR推出兩款30V DirectFET MOSFET轉(zhuǎn)換器芯片組
公司(international rectifier，簡稱ir)近日推出兩款新型30v directfet mosfet同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組。新產(chǎn)品適用于安裝了最新款intel和amd處理器的筆記本電腦設計。新品的每一款芯片組都包含一個控制mosfet和一個同步mosfet，而每個器件都經(jīng)過特別設計，在同步dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器電路中發(fā)揮最佳性能?？刂苖osfet具有更低的開關(guān)損耗，同步mosfet的傳導損耗更低(低導通電阻)，逆向恢復電荷也很低。其中一款芯片組包含irf6617控制場效應管和irf6611同步場效應管，能在高密度、空間有限的電路板中達到最佳性能，每個功率通道可達20a。另一款芯片組則包含irf6637控制場效應管和irf6678同步場效應管，適用于每個功率通道高于20a的應用，可有效提升熱性能。 irf6617控制場效應管采用小罐(st) directfet封裝，irf6637控制場效應管則采用中罐(mp) directfet封裝。為了方便修改現(xiàn)有設計，兩款同步場效應管都采用中罐directfet封裝，可以輕松地將irf6611替換為irf66
IR推出兩款新型DirectFET MOSFET芯片組
更高效率。由于封裝體積更小，只需單個控制和單個同步mosfet便可在大電流下工作，因此功率密度高于傳統(tǒng)封裝。也就是說，這些芯片組具有更好的熱性能，面積也更小，最適用于體積超小、需要提高電池使用效率的移動計算應用。新品的每一款芯片組都包含一個控制mosfet和一個同步mosfet，而每個器件都經(jīng)過特別設計，在同步dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器電路中發(fā)揮最佳性能?？刂苖osfet具有更低的開關(guān)損耗，同步mosfet的傳導損耗更低(低導通電阻)，逆向恢復電荷也很低。其中一款芯片組包含irf6617控制場效應管和irf6611同步場效應管，能在高密度、空間有限的電路板中達到最佳的性能，每個功率通道可達20a。另一款芯片組則包含irf6637控制場效應管和irf6678同步場效應管，適用于每個功率通道高于20a的應用，可有效提升熱性能。 irf6617控制場效應管采用小罐(st)directfet封裝，irf6637控制場效應管則采用中罐(mp)directfet封裝。為了方便修改現(xiàn)有設計，兩款同步場效應管都采用中罐(mx)directfet封裝，可以輕松地將irf6611替換為
國際整流器公司多相位可擴展控制集成電路在中國獲獎
同組成，內(nèi)部通過簡單的五線總線模式進行通信。相位的增加或減少無需更改基本設計。五線模擬總線由偏置電壓、相位時序、均流、誤差放大器輸出及vid電壓組成。五線總線可以省去控制與相位ic之間的點對點布線，從而縮短互連結(jié)構(gòu)，降低寄生電感和噪聲，簡化印制電路板布局，得到更可靠耐用的設計。 ir3086a相位ic和ir3082控制ic、ir directfet™功率mosfet共同為中高檔服務器、電壓調(diào)節(jié)器模塊（vrm）和大電流電信應用等提供多相dc-dc功率解決方案。以每個相位設計采用一顆irf6617控制fet和一顆irf6691 同步fet的12v四相設計為例，在80a輸出電流的情況下，可實現(xiàn)高達86%的輸出效率。 ir銷售及公司營銷部執(zhí)行副總裁robert grant指出：“能被中國杰出的工程設計群體認可，我們感到非常榮幸，也非常高興看到ir在開發(fā)新的功率管理方案和構(gòu)架方面的領導地位正迅速為全球所接受?！?/p>
IR XPhase多相位可擴展控制集成電路在華獲獎
今日電子》雜志的編輯將此榮譽頒發(fā)給了這一具有創(chuàng)新意義的控制芯片，因為它具有更廣泛的應用，在性能方面也十分突出。與其他具有固定相位數(shù)的多相解決方案不同，ir的xphase構(gòu)架能實現(xiàn)可擴展的多相設計:ir3082采用五位電壓編程，而且只需少量外部元件，簡化了多相應用。 ir3086a 相位ic和ir3082控制ic、ir directfet™ 功率mosfet共同為中高檔服務器、電壓調(diào)節(jié)器模塊(vrm)和大電流電信應用等提供多相dc-dc功率解決方案。以每個相位設計采用一顆irf6617控制fet和一顆irf6691 同步fet的12v四相設計為例，在80a輸出電流的情況下，可實現(xiàn)高達86%的輸出效率。 ir銷售及公司營銷部執(zhí)行副總裁robert grant指出:“能被中國杰出的工程設計群體認可，我們感到非常榮幸，也非常高興看到ir在開發(fā)新的功率管理方案和構(gòu)架方面的領導地位正迅速為全球所接受?！?/p>
IR XPhase多相位可擴展控制集成電路在中國獲獎
輯將此榮譽頒發(fā)給了這一具有創(chuàng)新意義的控制芯片，因為它具有更廣泛的應用，在性能方面也十分突出。與其他具有固定相位數(shù)的多相解決方案不同，ir的xphase構(gòu)架能實現(xiàn)可擴展的多相設計：ir3082采用五位電壓編程，而且只需少量外部元件，簡化了多相應用。 ir3086a 相位ic和ir3082控制ic、ir directfet™ 功率mosfet共同為中高檔服務器、電壓調(diào)節(jié)器模塊（vrm）和大電流電信應用等提供多相dc-dc功率解決方案。以每個相位設計采用一顆irf6617控制fet和一顆irf6691 同步fet的12v四相設計為例，在80a輸出電流的情況下，可實現(xiàn)高達86%的輸出效率。 ir銷售及公司營銷部執(zhí)行副總裁robert grant指出：“能被中國杰出的工程設計群體認可，我們感到非常榮幸，也非常高興看到ir在開發(fā)新的功率管理方案和構(gòu)架方面的領導地位正迅速為全球所接受?！?關(guān)于 xphase™ xphase是ir推出的分布式多相位架構(gòu)，由一組控制ic和相位ic共同組成，內(nèi)部通過簡單的五線總線模式進行通信。相位的增加或減少無需更改

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國際整流器公司多相位可擴展控制集成電路在中國獲獎

IR XPhase多相位可擴展控制集成電路在華獲獎

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