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960
IR
SMD/1206+
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IR推出30V同步降壓式轉換器芯片組IRF6631/38
ir推出全新30v同步降壓式轉換器芯片組，其中包括irf6631控制mosfet和irf6638同步mosfet。該芯片組采用雙面冷卻的ir基準directfet 封裝和最新的hexfet mosfet技術，可以在中電流水平（低于18安培）實現更高的效率和散熱表現。其應用包括先進筆記本電腦、臺式電腦、電信和數據通信，以及需要細小、高效及更好的導熱效果來提高功率密度的通用同步降壓式設計。全新的directfet芯片組是設計人員所需應用于中功率水平之細小，快捷開關，及15至18安培功率轉換器的最佳選擇。它們不僅能在5至8安培應用上提高超過百分之一的效率，還比采用3顆so-8器件的典型方法節(jié)省了百分之五十的占板面積。該芯片組的每個器件都是為了使同步dc－dc降壓式轉換器電路實現最佳性能而設計的。irf6631 directfet控制mosfet可降低開關損耗，而irf6638 directfet同步mosfet則能減少傳導損耗及反向恢復電荷。 irf6631控制fet的柵極電荷為12nc，電阻柵極電荷（99.6 mohmsnc）優(yōu)值系數比先前的產品減少了16%。irf6638

IR推出用于DC-DC降壓式轉換器的30V DirectFET MOSFET芯片組
全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司（international rectifier，簡稱ir）近日推出全新30v同步降壓式轉換器芯片組，其中包括irf6631控制mosfet和irf6638同步mosfet。該芯片組采用雙面冷卻的ir基準directfet 封裝和最新的hexfet mosfet技術，可以在中電流水平（低于18安培）實現更高的效率和散熱表現。其應用包括先進筆記本電腦、臺式電腦、電信和數據通信，以及需要細小、高效及更好的導熱效果來提高功率密度的通用同步降壓式設計。 ir中國銷售總監(jiān)嚴國富指出：“全新的directfet芯片組是設計人員所需應用于中功率水平之細小，快捷開關，及15至18安培功率轉換器的最佳選擇。它們不僅能在5至8安培應用上提高超過百分之一的效率，還比采用3顆so-8器件的典型方法節(jié)省了百分之五十的占板面積?！?該芯片組的每個器件都是為了使同步dc－dc降壓式轉換器電路實現最佳性能而設計的。irf6631 directfet控制mosfet可降低開關損耗，而irf6638 directfet同步mosfet則能減少傳導損耗及反向恢復電荷。

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