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IXFN52N90P

更新時間:2025-06-03 12:18:36

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IXFN52N90P外觀圖

IXFN52N90P

IXYS FET

MOSFET N-CH 900V 43A SOT227

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN52N90P 概述

IXFN52N90P是一款由IXYS公司生產(chǎn)的高性能功率MOSFET。該器件采用N溝道設計，具有高達900V的漏源電壓（VDSS）能力，適用于高壓應用環(huán)境。其最大連續(xù)漏極電流（ID）為52A，表明它能夠處理相對較大的電流，適合用于需要高功率切換的場合。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、電機驅動和開關模式電源等工業(yè)與能源轉換設備中。由于其低導通電阻（RDS(on)），可以有效降低能量損耗，提高系統(tǒng)效率。在使用時應注意，確保柵極驅動電壓足夠以完全開啟MOSFET，并且要考慮到散熱管理，避免因過熱導致性能下降或損壞。電路設計上，推薦采用適當?shù)木彌_電路來減少開關過程中的電壓尖峰。對于高頻應用，還需考慮寄生電容的影響并優(yōu)化布局以減少電磁干擾。

IXFN52N90P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
Polar™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
900V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
43A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
160 毫歐 @ 26A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
6.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
308nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
19000pF @ 25V
功率 - 最大
890W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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