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IXFN66N50Q2

更新時間:2025-05-15 23:44:01

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IXFN66N50Q2外觀圖

IXFN66N50Q2

IXYS FET

MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN66N50Q2 概述

IXFN66N50Q2是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。這款N溝道增強型MOSFET專為高壓應用設計，最大漏源電壓可達500V。其低導通電阻和快速開關特性使其在電源轉換、電機驅動以及工業(yè)控制等領域表現(xiàn)出色。該器件適用于各種高效率電源系統(tǒng)，如開關電源（SMPS）、不間斷電源（UPS）以及高頻逆變器等。在電機驅動應用中，它能夠提供可靠的性能和穩(wěn)定的輸出。由于其優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和低損耗特性，有助于提高整體系統(tǒng)的效率并減少散熱需求。使用時應注意確保柵極驅動電路的設計合理，以避免過高的電壓損壞柵極。同時，在實際應用中需要關注PCB布局，盡量減小寄生電感對高速開關的影響。對于高功率應用場合，建議采用適當?shù)纳岽胧?，比如安裝散熱片或采用強制風冷等方式來保證器件工作溫度處于安全范圍之內。

IXFN66N50Q2 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
66A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
199nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6800pF @ 25V
功率 - 最大
735W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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IXFN132N50P3
IR2153

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