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IXFN64N60P

更新時間:2025-05-16 23:22:50

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳市創(chuàng)升揚電子有限公司
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全新原裝原盒原標(biāo)實拍支持選型保證質(zhì)量新批次

深圳市華芯源電子有限公司
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IXFN64N60P外觀圖

IXFN64N60P

IXYS FET

MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN64N60P 概述

IXFN64N60P是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于高頻應(yīng)用。其最大漏極-源極電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達(dá)64A，在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的性能。典型應(yīng)用場景包括開關(guān)電源、不間斷電源(UPS)、電機驅(qū)動以及感應(yīng)加熱設(shè)備等。在電路設(shè)計中，應(yīng)確保適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動電路以實現(xiàn)最佳開關(guān)性能，并注意散熱設(shè)計以維持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。對于電機驅(qū)動應(yīng)用，需考慮合適的保護電路來防止過壓和過流情況的發(fā)生。

IXFN64N60P 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
類別
半導(dǎo)體模塊
家庭
FET
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
96 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
200nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
12000pF @ 25V
功率 - 最大
700W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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IR2113S

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