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IXFN60N60

更新時間:2025-07-04 04:16:31

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IXFN60N60外觀圖

IXFN60N60

IXYS FET

MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN60N60 概述

IXFN60N60是英飛凌科技生產的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的TrenchFET技術，具有極低的導通電阻和柵極電荷，有助于減少開關損耗并提高系統(tǒng)效率。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達60A，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。適用于開關電源、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器以及工業(yè)電機驅動等高壓高頻應用場合。在實際應用中，需注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱設計良好以維持器件工作溫度在安全范圍內。電路設計時應遵循制造商推薦的PCB布局指南，以最大限度地降低寄生電感影響。

IXFN60N60 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
60A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
380nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
15000pF @ 25V
功率 - 最大
700W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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IXFN130N30
IRF530N

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