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IXFN64N50P

更新時間:2025-05-25 17:42:09

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IXFN64N50P外觀圖

IXFN64N50P

IXYS FET

MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN64N50P 概述

IXFN64N50P是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。這款器件采用先進的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓（Vds）為500V，連續(xù)漏極電流（Id）可達64A，能夠承受較高的電壓和電流應力，適合工業(yè)電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅動等高功率應用場合。在電路設計中，需注意柵極驅動電壓的選擇，推薦使用專用的MOSFET驅動器以確?？煽块_啟和關閉。此外，為了提高系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，在實際安裝時應考慮良好的散熱措施，如使用散熱片或冷卻風扇。該器件可幫助設計師實現(xiàn)高效、緊湊的電力電子解決方案。

IXFN64N50P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
61A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
85 毫歐 @ 32A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
150nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
8700pF @ 25V
功率 - 最大
700W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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