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IRFD014

更新時間:2025-05-17 02:48:11

供應商
產(chǎn)品型號
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廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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IRFD014 概述

IRFD014是由英飛凌科技公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。這款晶體管采用SOT-23封裝，適合表面貼裝應用，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏極-源極電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達2.8A，適用于多種功率管理場景。典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電源管理和負載切換等。在電路設計中，IRFD014常用于提高效率和減少功耗。使用時應注意柵極驅(qū)動電壓應足夠高以確保完全導通，推薦驅(qū)動電壓范圍為4.5V至10V。此外，由于其小尺寸封裝，在實際布局時需考慮散熱問題，建議合理安排PCB走線和散熱過孔以優(yōu)化熱性能。對于需要高速開關的應用，該器件也能提供良好的響應速度和穩(wěn)定性。

IRFD014 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFD014
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫歐 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
310pF @ 25V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應商設備封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝
管件
其它名稱
*IRFD014

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