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IXFN170N10

更新時間:2025-05-16 02:33:57

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上海原裝現(xiàn)貨庫存，歡迎查詢

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IXFN170N10外觀圖

IXFN170N10

IXYS FET

MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN170N10 概述

IXFN170N10是由IXYS公司生產的功率MOSFET，適用于高效率、高性能的電源管理應用。該器件采用先進的Trench技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性，這使得它在減少能量損耗方面表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓（VDSS）為100V，連續(xù)漏極電流（ID）能力高達170A，非常適合于需要處理大電流的應用場景。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅動、直流-直流轉換器以及電池充電設備等。由于其優(yōu)秀的熱性能和電氣特性，在設計過程中應確保合理的散熱布局以發(fā)揮其最佳性能。使用時要注意柵極驅動電路的設計，保證足夠的驅動電壓來實現(xiàn)低導通電阻，同時避免過高的電壓損壞柵極氧化層。在PCB布局上要盡量減小寄生電感，有助于提高開關速度并降低電磁干擾。

IXFN170N10 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
170A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
515nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
10300pF @ 25V
功率 - 最大
600W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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