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IXFN180N15P

更新時間:2025-06-12 15:10:49

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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IXFN180N15P外觀圖

IXFN180N15P

IXYS FET

MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN180N15P 概述

IXFN180N15P是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用TO-264封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的特點。其最大漏極電流可達(dá)180A，耐壓值為150V，適用于需要高效電能轉(zhuǎn)換的場合。此款MOSFET常見于電源管理、電機(jī)驅(qū)動以及不間斷電源系統(tǒng)等應(yīng)用場景。在電源管理系統(tǒng)中，可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器或AC-DC整流電路中以提高效率并減少發(fā)熱量。對于電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用，則能夠提供可靠的開關(guān)性能以確保電機(jī)平穩(wěn)運(yùn)行。使用時需注意散熱設(shè)計，推薦采用合適的散熱器以保證器件長期穩(wěn)定工作。此外，在進(jìn)行PCB布局時應(yīng)盡量縮短源極和柵極走線長度以減少寄生電感影響。建議在柵極串聯(lián)小電阻來抑制振蕩現(xiàn)象，同時在源極與柵極間并聯(lián)一個齊納二極管作為保護(hù)措施。

IXFN180N15P 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
類別
半導(dǎo)體模塊
家庭
FET
系列
PolarHT™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
150A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫歐 @ 90A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
240nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7000pF @ 25V
功率 - 最大
680W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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IXFN130N30
IRF730

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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