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IXFN140N20P

更新時間:2025-06-15 16:20:25

供應商
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IXFN140N20P外觀圖

IXFN140N20P

IXYS FET

MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN140N20P 概述

IXFN140N20P是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件專為高效功率轉(zhuǎn)換應用設計，具有低導通電阻和高電流處理能力。其最大漏源電壓（Vds）為200V，連續(xù)漏極電流（Id）可達140A，適用于大功率開關電源、電機驅(qū)動器以及不間斷電源系統(tǒng)等場景。在高頻開關應用中表現(xiàn)尤為出色，能夠顯著降低開關損耗并提高整體效率。使用時應注意適當?shù)纳嵩O計以確保器件的穩(wěn)定運行，并根據(jù)具體應用需求選擇合適的柵極驅(qū)動電路。在電機控制應用中，建議搭配合適的緩沖電路以抑制電壓尖峰。

IXFN140N20P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
PolarHT™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
115A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
18 毫歐 @ 70A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
240nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7500pF @ 25V
功率 - 最大
680W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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