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IXFN25N90

更新時間:2025-07-09 15:16:26

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IXFN25N90外觀圖

IXFN25N90

IXYS FET

MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN25N90 概述

IXFN25N90是IXYS公司生產的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的Trench技術，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏極-源極電壓（Vds）為900V，連續(xù)漏極電流（Id）可達25A，在高溫條件下也能穩(wěn)定工作。典型應用包括不間斷電源（UPS）、逆變器、開關電源以及各種工業(yè)控制設備中的高頻開關電路。在設計時應注意其散熱要求，推薦使用適當?shù)纳崞饕源_?？煽窟\行。此外，在驅動電路設計中要保證足夠的柵極驅動電壓，以降低導通電阻并提高整體效率。

IXFN25N90 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
900V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
25A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
330 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
240nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
10800pF @ 25V
功率 - 最大
600W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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