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IXFN200N07

更新時間:2025-06-20 18:12:04

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IXFN200N07外觀圖

IXFN200N07

IXYS FET

MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN200N07 概述

IXFN200N07是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件設(shè)計用于高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場合，具有極低的Rds(on)值，在柵源電壓為10V時典型值僅為0.0045歐姆，能有效降低導(dǎo)通損耗。其最大漏極電流可達(dá)200A，適合需要大電流處理能力的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動以及不間斷電源系統(tǒng)等應(yīng)用場景。在具體應(yīng)用中，建議將其用于同步整流電路或作為主開關(guān)管應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中。由于其較大的電流承載能力和低導(dǎo)通電阻特性，在設(shè)計PCB布局時需特別注意散熱設(shè)計，確保足夠的銅箔面積以幫助散熱，并考慮添加適當(dāng)?shù)纳崞饕跃S持器件在安全工作溫度范圍內(nèi)。此外，為保證最佳性能，驅(qū)動電路的設(shè)計應(yīng)確保柵極信號有足夠的上升和下降時間，避免因過快的開關(guān)速度導(dǎo)致EMI問題。

IXFN200N07 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
類別
半導(dǎo)體模塊
家庭
FET
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
70V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
200A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
480nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
9000pF @ 25V
功率 - 最大
520W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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IRF540NS

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