-
-
- 手機版
-
- 芯視頻 APP
-
- 微信公眾號
-
- 維庫官方抖音
-
- 微信頭條號
-
- |
- |
- |
- |
IRF6644
12989
N/A/6+
原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢
IRF6644
8000
TO220AB/2024+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
IRF6644
6500
3/23+
只做原裝現(xiàn)貨
IRF6644
20000
SSOP/2024+
17%原裝.深圳送貨
IRF6644
41101
-/-
大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務(wù)
IRF6644
6000
TO220/22+
終端可免費供樣,支持BOM配單
IRF6644
9000
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/2025+
公司原裝現(xiàn)貨庫存，支持實單
IRF6644
9000
DirectFET Isometric MN/2024+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
IRF6644
28000
-/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨原盒原包
IRF6644
32568
DirectFET MN/18+
一級代理進(jìn)口原裝長期供應(yīng)絕對優(yōu)勢價格誠信經(jīng)營
IRF6644
9000
DirectFET Isometric MN/23+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
28683
QFN8/21+
原裝現(xiàn)貨終端免費提供樣品
IRF6644
8000
TO220AB/25+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
IRF6644
200
-/06+
06+
IRF6644
15988
DPAK/25+
助力國營二十余載，一站式BOM配單
IRF6644
8800
-/24+
原廠授權(quán)代理商主營IGBT模塊 可控硅模塊 二極管 晶
IRF6644
9200
DIRECTFET/23+
只做原裝更多數(shù)量在途訂單
IRF6644
10000
DIRECTFET MN/22+
代理直銷進(jìn)口原裝
IRF6644
1200
ECDIRECTFET/20+
現(xiàn)貨 如非原裝 假一罰十
IRF6644
DirectFETPower MOSFET
IRF
IRF6644PDF下載
IRF6644
DirectFETPower MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6644PDF下載
IRF6644PBF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6644PBFPDF下載
IRF6644TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
IRF6644TRPBFPDF下載
IRF6644TRPBF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6644TRPBFPDF下載
IRF6644TR1PBF
MOSFET, N, DIRECTFET, 100V, MN; Tran...
International Rectifier
IRF6644TR1PBFPDF下載
固定工作周期。相比于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚設(shè)計，該芯片組能有效節(jié)省多達(dá)50% 的電路板空間，并可減少60% 的組件數(shù)目。 ir2086s設(shè)有一個集成軟啟動電容器，能在2,000余個周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%，以限制在啟動階段輸入的電流；同時在整個啟動過程中為全橋的高、低端mosfet保持相同的脈沖寬度。 新器件的其它特點包括自恢復(fù)電流限制保護、(1.2a柵驅(qū)動電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500khz的可編程開關(guān)頻率。 設(shè)計師可從100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四種directfet mosfet選擇所需產(chǎn)品，組成完整的芯片組。這些mosfet采用ir最新技術(shù)及directfet封裝，能大幅優(yōu)化導(dǎo)通電阻、柵電荷等重要器件指標(biāo)。 由于器件溫度更低，因此無需在初級部分添加并行器件，即可滿足更高電流要求。整體而言，irf6644可提升約46% 輸出功率，并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級和次級部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案，irf6644的導(dǎo)通電阻降低了約48%。 irf6644的組合式導(dǎo)通電阻
o-8封裝內(nèi)，具有外部可調(diào)節(jié)的頻率和死區(qū)時間以用于各種應(yīng)用要求。提供了使能端和電流限制控制端。內(nèi)部軟啟動特性極限在啟動期間的浪涌電流，通過大約在門驅(qū)動信號的最初2000 個脈沖期間逐漸增加占空比到50%。相類似的方法可用于全橋直流總線變換器，使用新型的ir2086s，對于高達(dá)240w，在相似的波形因素下，在滿載電流下具有大約96.4%的效率。 圖1顯示了48v直流輸入的原理圖，它可用于36到75v輸入電壓寬范圍、220w直流總線變換器電路。在初級，ir2085s 控制器和驅(qū)動器ic 驅(qū)動兩個irf6644 低電荷directfet封裝功率mosfet，它是100v 的n-溝道功率mosfet。初級的偏置電壓通過一個線性穩(wěn)壓器來獲得，并用于啟動，然后在穩(wěn)態(tài)下由變壓器獲得。irf7380，是雙80v n-溝道功率mosfet，集成在so-8封裝內(nèi)，被用于獲得該功能。在次級，新穎的30v n-溝道irf6612 或irf6618 directfet封裝功率mosfet用于自驅(qū)動的同步整流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中。對于12v輸出應(yīng)用來說，新型的40v n-溝道irf6613 可用作同步整流mosfet，這個單元在小于
。相比于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚設(shè)計，該芯片組能有效節(jié)省多達(dá)50% 的電路板空間，并可減少60% 的組件數(shù)目。 ir2086s設(shè)有一個集成軟啟動電容器，能在2,000余個周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%，以限制在啟動階段輸入的電流；同時在整個啟動過程中為全橋的高、低端mosfet保持相同的脈沖寬度。 新器件的其它特點包括自恢復(fù)電流限制保護、(1.2a柵驅(qū)動電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500khz的可編程開關(guān)頻率。 設(shè)計師可從100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四種directfet mosfet選擇所需產(chǎn)品，組成完整的芯片組。這些mosfet采用ir最新技術(shù)及directfet封裝，能大幅優(yōu)化導(dǎo)通電阻、柵電荷等重要器件指標(biāo)。 由于器件溫度更低，因此無需在初級部分添加并行器件，即可滿足更高電流要求。整體而言，irf6644可提升約46% 輸出功率，并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級和次級部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案，irf6644的導(dǎo)通電阻降低了約48%。 irf6644的組合式
理器電源。 在12v輸出的系統(tǒng)中，只需并聯(lián)4個irf6609 directfet mosfet，便可組成能處理100a電流的oring電路。ir5001s還可以用于48v/24v系統(tǒng)的反向極性應(yīng)用，取代大型的d2pak二極管和昂貴的繼電器。 如果把ir5001s與100v的irf6655 directfet mosfet配合使用，可以提供30w到60w功率級的板上電源。采用小罐式封裝的irf6655比采用so-8封裝的體積減少一半，更適合功率較低的應(yīng)用系統(tǒng)。采用中罐式封裝的100w irf6644 directfet mosfet適用于功率較高的應(yīng)用，能提供250w到300w功率級的板上電源，而且無需使用多個并聯(lián)的so-8器件或體積更大的獨立封裝器件。 如果加入簡單的電荷泵電路，ir5001s可加裝在-48v系統(tǒng)的接地oring端，以符合“先進(jìn)電信計算架構(gòu)”(atca)的規(guī)范。 新產(chǎn)品采用輸入終端(inn和inp)來測量外置mosfet的漏極和源極之間的不同電壓和極性，從而確定輸出電壓。ic的輸出電壓(vout)能驅(qū)動外置mosfet柵極。 如果電流極性反向，該ic會將
聯(lián)系人：
聯(lián)系方式：
