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DIRECTFET/2005
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HEXFET Power MOSFET plus Schottky Di...
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HEXFET Power MOSFET plus Schottky Di...
IRF [International Rectifier]
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IRF6691TRPBF
Power Field-Effect Transistor, 32A I...
IRF
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國際整流器公司(international rectifier,簡稱ir)近日推出ir3084和ir3084u兩款xphase 控制ic,延伸了ir xphase可擴展多相轉(zhuǎn)換器芯片組產(chǎn)品。新的ic能夠與ir現(xiàn)有的ir3086a相位ic和irf6617、irf6691等directfet功率mosfet配合使用,在130a的應(yīng)用中實現(xiàn) 7相位,可比5相位的設(shè)計提高3%的工作效率。 ir3084符合intel vr10.x和vr11微處理器核心電源的要求,而ir3084u則是一款通用電壓識別(vid)器件,是同時針對vr10.x和vr11及amd opteron vid代碼和啟動序列的產(chǎn)品。 xphase芯片組是為增強臺式機、服務(wù)器、穩(wěn)壓模塊(vrm) 和嵌入式系統(tǒng)的功率密度和效率而設(shè)計的。由于相位數(shù)目由5個增加到7個,每相位電流也相應(yīng)下降,因此設(shè)計人員可以使用更小型的電感器和更少的輸出電容器。這將使電路面積由3,200 mm2減小到2,400 mm2,節(jié)省了25%的電路板面積。 7相位的ir3084解決方案包含ir6617和irf6691 功率mosfet,可在滿載電流下
md opteron(皓龍)和 athlon(速龍)64 處理器推出了ir3082多相控制ic。 ir3082的推出延伸了ir xphase可擴展多相ic的產(chǎn)品種類,與directfet 功率mosfet相配合,為中高檔服務(wù)器、電壓調(diào)節(jié)器模組(vrm)和大電流電信應(yīng)用提供了最佳的多相dc-dc功率解決方案。 ir3086a相位ic和ir3082控制ic以其完善的性能和靈活性實現(xiàn)了完整的opteron和athlon 64功率解決方案。以每個相位采用一顆irf6617控制fet和一顆irf6691同步fet的12v四相設(shè)計為例,在80a輸出電流的情況下,可實現(xiàn)高達(dá)86%的輸出效率。 ir xphase結(jié)構(gòu)與其他固定相位數(shù)的多相解決方案不同,它能夠?qū)崿F(xiàn)可擴展的多相設(shè)計。ir3082只需配合5位電壓編程及少量外置元件即可工作,可以簡化一般應(yīng)用及不針對特定處理器的多相應(yīng)用。:“ ir3082在5位電壓識別碼(vid)的情況下,系統(tǒng)的整體精度為1.0%。其自適應(yīng)電壓定位功能,可在保持輸出電壓容差的同時,降低對輸出電容器的要求。該元件還設(shè)有ir專利的截止電路,能把對輸出電容的要求降
芯片組最適用于可支持5v至1v以下輸出電壓的高密度15a pol轉(zhuǎn)換器。以一個500khz pol轉(zhuǎn)換器為例,若采用這款芯片組,便能在1.5v下提供15a輸出電流,實現(xiàn)大于88%的效率。” irf6610的閘電荷(gate charge)低至10nc,可將開關(guān)損耗減至最低,實現(xiàn)最佳控制場效應(yīng)管(fet)功能。irf6636則是一款多功能的directfet功率mosfet,其導(dǎo)通電阻為4.5mω,閘電荷低至18nc。它可耦合irf6610,成為專門針對15a應(yīng)用的同步場效應(yīng)管;又可配合irf6691組成控制場效應(yīng)管,適用于每相位35a的多相位應(yīng)用。irf6636/irf6691芯片能在pol模塊等應(yīng)用中提供更高密度,取代多達(dá)4個熱強化型so-8 mosfet器件。 該公司表示,ir的專利directfet mosfet封裝包含了一系列新的設(shè)計優(yōu)點,這是目前標(biāo)準(zhǔn)的塑料分立封裝所不具備的。其中,金屬罐狀結(jié)構(gòu)可提供雙面冷卻,將驅(qū)動先進(jìn)微處理器的高頻dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力提高1倍。此外,directfet封裝內(nèi)的器件均符合“電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令”(rohs)。 來源:
模式進(jìn)行通信。相位的增加或減少無需更改基本設(shè)計。五線模擬總線由偏置電壓、相位時序、均流、誤差放大器輸出及vid電壓組成。五線總線可以省去控制與相位ic之間的點對點布線,從而縮短互連結(jié)構(gòu),降低寄生電感和噪聲,簡化印制電路板布局,得到更可靠耐用的設(shè)計。 ir3086a相位ic和ir3082控制ic、ir directfet™功率mosfet共同為中高檔服務(wù)器、電壓調(diào)節(jié)器模塊(vrm)和大電流電信應(yīng)用等提供多相dc-dc功率解決方案。以每個相位設(shè)計采用一顆irf6617控制fet和一顆irf6691 同步fet的12v四相設(shè)計為例,在80a輸出電流的情況下,可實現(xiàn)高達(dá)86%的輸出效率。 ir銷售及公司營銷部執(zhí)行副總裁robert grant指出:“能被中國杰出的工程設(shè)計群體認(rèn)可,我們感到非常榮幸,也非常高興看到ir在開發(fā)新的功率管理方案和構(gòu)架方面的領(lǐng)導(dǎo)地位正迅速為全球所接受?!?/p>
意義的控制芯片,因為它具有更廣泛的應(yīng)用,在性能方面也十分突出。 與其他具有固定相位數(shù)的多相解決方案不同,ir的xphase構(gòu)架能實現(xiàn)可擴展的多相設(shè)計:ir3082采用五位電壓編程,而且只需少量外部元件,簡化了多相應(yīng)用。 ir3086a 相位ic和ir3082控制ic、ir directfet™ 功率mosfet共同為中高檔服務(wù)器、電壓調(diào)節(jié)器模塊(vrm)和大電流電信應(yīng)用等提供多相dc-dc功率解決方案。以每個相位設(shè)計采用一顆irf6617控制fet和一顆irf6691 同步fet的12v四相設(shè)計為例,在80a輸出電流的情況下,可實現(xiàn)高達(dá)86%的輸出效率。 ir銷售及公司營銷部執(zhí)行副總裁robert grant指出:“能被中國杰出的工程設(shè)計群體認(rèn)可,我們感到非常榮幸,也非常高興看到ir在開發(fā)新的功率管理方案和構(gòu)架方面的領(lǐng)導(dǎo)地位正迅速為全球所接受?!?關(guān)于 xphase™ xphase是ir推出的分布式多相位架構(gòu),由一組控制ic和相位ic共同組成,內(nèi)部通過簡單的五線總線模式進(jìn)行通信。相位的增加或減少無需更改基本設(shè)計。五線模擬總線由偏置電
發(fā)給了這一具有創(chuàng)新意義的控制芯片,因為它具有更廣泛的應(yīng)用,在性能方面也十分突出。 與其他具有固定相位數(shù)的多相解決方案不同,ir的xphase構(gòu)架能實現(xiàn)可擴展的多相設(shè)計:ir3082采用五位電壓編程,而且只需少量外部元件,簡化了多相應(yīng)用。 ir3086a 相位ic和ir3082控制ic、ir directfet™ 功率mosfet共同為中高檔服務(wù)器、電壓調(diào)節(jié)器模塊(vrm)和大電流電信應(yīng)用等提供多相dc-dc功率解決方案。以每個相位設(shè)計采用一顆irf6617控制fet和一顆irf6691 同步fet的12v四相設(shè)計為例,在80a輸出電流的情況下,可實現(xiàn)高達(dá)86%的輸出效率。 ir銷售及公司營銷部執(zhí)行副總裁robert grant指出:“能被中國杰出的工程設(shè)計群體認(rèn)可,我們感到非常榮幸,也非常高興看到ir在開發(fā)新的功率管理方案和構(gòu)架方面的領(lǐng)導(dǎo)地位正迅速為全球所接受?!?/p>