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IRF6643TRPBF
24998
NA//23+
優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票
IRF6643TRPBF
7000
N/A/23+
只做原裝現(xiàn)貨
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300000
DirectFET/23+
一級代理商可提供技術(shù)方案支持
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86285
DIRECTFET/24+
原裝正支持實(shí)單
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8000
21+/25+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
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201000
NA/22+
可訂貨，請確認(rèn)
IRF6643TRPBF
9200
QFN/23+
只做原裝更多數(shù)量在途訂單
IRF6643TRPBF
16920
NA/23+
代理渠道，價(jià)格優(yōu)勢
IRF6643TRPBF
5000
N/A/25+
只做原裝，價(jià)格市場
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26000
DirectFET3/2025+
晶體管
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9150
N/A/23+
只做原裝 原廠原裝 假一罰十 有掛就有
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9000
/2025+
公司原裝現(xiàn)貨庫存，支持實(shí)單
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52701
DIRECTFET/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年
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4800
DirectFET3/17+
原裝正品熱賣，價(jià)格優(yōu)勢
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105000
N/A/23+
終端可以免費(fèi)供樣，支持BOM配單
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8700
-/23+
原裝現(xiàn)貨
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20950
DIRECTFET/25+
軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單
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7300
DIRECTFET/25+
行業(yè)十年，價(jià)格超越代理， 支持權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測
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28000
-/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨原盒原包
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MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
IRF6643TRPBFPDF下載
IRF6643TRPBF
DirectFET Power MOSFET - Typical val...
IRF [International Rectifier]
IRF6643TRPBFPDF下載
亞太區(qū)高級銷售總監(jiān)曾海邦表示：“ir directfet系列的最新器件通過持續(xù)改善影響功率mosfet、rds(on)、qg及qgd性能的關(guān)鍵參數(shù)，將傳導(dǎo)、開關(guān)及反向恢復(fù)損耗降至最低。這些改進(jìn)不僅可保證器件在較高電流電平下工作，同時(shí)也保持了單個(gè)mosfet的小巧體積。由于電路版的面積減少了50%以上，因此現(xiàn)在一個(gè)directfet mosfet可以替代兩個(gè)或三個(gè)so-8封裝器件?！?該器件的典型10v rds(on) 非常低，只有29mω。其低電感使器件更加適合大電流同步整流插座。而且，irf6643trpbf的qg低至39nc、qgd低至11nc，因此可作為隔離式或中間dc總線轉(zhuǎn)換器的原邊mosfet。irf6643trpbf采用中級尺寸 (mz) directfet封裝。有關(guān)新器件的詳細(xì)數(shù)據(jù)，詳見以下網(wǎng)址http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html。 產(chǎn)品基本規(guī)格如下： 器件 編號 封裝 bvdss (v) 10v下最大rds(on) (mohm) 10v下 典型rds(on) (mohm) vgs (v) 25&or
亞太區(qū)高級銷售總監(jiān)曾海邦表示：“ir directfet系列的最新器件通過持續(xù)改善影響功率mosfet、rds(on)、qg及qgd性能的關(guān)鍵參數(shù)，將傳導(dǎo)、開關(guān)及反向恢復(fù)損耗降至最低。這些改進(jìn)不僅可保證器件在較高電流電平下工作，同時(shí)也保持了單個(gè)mosfet的小巧體積。由于電路版的面積減少了50%以上，因此現(xiàn)在一個(gè)directfet mosfet可以替代兩個(gè)或三個(gè)so-8封裝器件?！?該器件的典型10v rds(on) 非常低，只有29mω。其低電感使器件更加適合大電流同步整流插座。而且，irf6643trpbf的qg低至39nc、qgd低至11nc，因此可作為隔離式或中間dc總線轉(zhuǎn)換器的原邊mosfet。irf6643trpbf采用中級尺寸 (mz) directfet封裝。有關(guān)新器件的詳細(xì)數(shù)據(jù)，詳見以下網(wǎng)址http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html。 ir的directfet mosfet封裝具有以往標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝所不能提供的全新設(shè)計(jì)優(yōu)勢，并已獲得專利保護(hù)。其金屬罐構(gòu)造可提供雙面冷卻功能，將用于驅(qū)動先進(jìn)微型處理器的高頻dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理
ir亞太區(qū)高級銷售總監(jiān)曾海邦表示：“ir directfet系列的最新器件通過持續(xù)改善影響功率mosfet、rds(on)、qg及qgd性能的關(guān)鍵參數(shù)，將傳導(dǎo)、開關(guān)及反向恢復(fù)損耗降至最低。這些改進(jìn)不僅可保證器件在較高電流電平下工作，同時(shí)也保持了單個(gè)mosfet的小巧體積。由于電路版的面積減少了50%以上，因此現(xiàn)在一個(gè)directfet mosfet可以替代兩個(gè)或三個(gè)so-8封裝器件?！痹撈骷牡湫?0v rds(on) 非常低，只有29mω。其低電感使器件更加適合大電流同步整流插座。而且，irf6643trpbf的qg低至39nc、qgd低至11nc，因此可作為隔離式或中間dc總線轉(zhuǎn)換器的原邊mosfet。irf6643trpbf采用中級尺寸 (mz) directfet封裝。 ir的directfet mosfet封裝具有以往標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝所不能提供的全新設(shè)計(jì)優(yōu)勢，并已獲得專利保護(hù)。其金屬罐構(gòu)造可提供雙面冷卻功能，將用于驅(qū)動先進(jìn)微型處理器的高頻dc-dc降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力有效增加一倍。此外，directfet封裝內(nèi)的器件均符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (rohs)。 irf6643trpb
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