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NTB30N20T4G

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  • 大?。?8.4KB
  • 廠家：ON Semiconductor
  • 描述： Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:30A; On Resistance, Rds(on):81mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.9V ;RoHS Compliant: Yes
  • 標準包裝：800
  • 類別：分離式半導體產品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點：標準型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)：200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：30A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：81 毫歐 @ 15A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs：100nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds：2335pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應商設備封裝：D2PAK
  • 包裝：帶卷 (TR)
  • 其它名稱：NTB30N20T4GOSNTB30N20T4GOS-NDNTB30N20T4GOSTR
NTB30N20T4G 相關信息
  • NTB30N20T4G的技術參數(shù)
    產品型號:NTB30N20T4G源漏極間雪崩電壓VBR(V):200源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):81最大漏極電流Id(on)(A):30通道極性:N溝道封裝/溫度(℃):D2PAK/-55 ~150描述:30 A, 200 V功率MOSFET價格/1片(套):￥16.40 來源:xiangxueqin
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