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NTB35N15G

更新時間:2025-05-16 16:31:43

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NTB35N15G外觀圖

NTB35N15G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

NTB35N15G 概述

NTB35N15G是安森美半導體生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵源電壓為10V時，最大導通電阻僅為0.042歐姆。其漏源擊穿電壓可達150V，適合于需要高電壓處理能力的應用場景。典型應用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、不間斷電源系統(tǒng)以及電機驅(qū)動電路中。在電機驅(qū)動應用里，它能高效地控制電機的轉(zhuǎn)速與方向。在使用時應注意保證適當?shù)纳岽胧?，避免因過熱導致性能下降或損壞。根據(jù)不同的電路需求合理選擇柵極電阻值以確保MOSFET快速且可靠地開關。

NTB35N15G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
37A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
50 毫歐 @ 18.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
100nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3200pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
管件

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