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NTB45N06LG

更新時間:2025-06-11 05:14:26

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NTB45N06LG外觀圖

NTB45N06LG

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

NTB45N06LG 概述

NTB45N06LG是一款由安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力的特點。其典型應用包括電源管理、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及各種需要高效開關的電路中。在電源管理系統(tǒng)中，它可用于實現(xiàn)快速、高效的電能傳輸與分配；在電機驅(qū)動電路里，則可作為功率開關元件使用。使用建議方面，在進行PCB布局時應盡量減小源極和漏極之間的走線長度以減少寄生電感的影響。由于是大功率器件，在實際應用中要注意散熱設計，確保工作溫度在其額定范圍內(nèi)，避免因過熱導致性能下降或損壞。對于驅(qū)動電路的設計，要保證柵極驅(qū)動電壓足夠高以充分開啟MOSFET，提高整個電路的工作效率。

NTB45N06LG 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
45A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
28 毫歐 @ 22.5A，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
32nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1700pF @ 25V
功率 - 最大
2.4W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
管件

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