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驅(qū)動(dòng)LED陣列的同步降壓開關(guān)電源
5a進(jìn)行額定輸出電流為3.5a的設(shè)計(jì)(外部需要提供負(fù)載切斷和電池反向的額外保護(hù))。假設(shè)讀者已熟悉降壓 smps的基本概念，因此在此只強(qiáng)調(diào)本設(shè)計(jì)更獨(dú)特的特點(diǎn)。第一步是將期望的參數(shù)和電流值變換為由cs5165a調(diào)節(jié)的電壓值。這可以由rsense1 完成。為了進(jìn)一步提高效率，要用運(yùn)算放大器放大rsense1 上的電壓信號(hào)，并且保持電阻中的損耗為最小。確定所需負(fù)載電流的vref 設(shè)置點(diǎn)方程如下所示(其中a 是放大器電路的增益):vref=a iload rsense1從減小導(dǎo)通損耗和熱量觀點(diǎn)考慮選擇一對(duì)ntb45n06 n-溝道功率mosfet。另外，上部mosfet m1選擇了器件的邏輯級(jí)版本。這有助于當(dāng)電荷泵峰值儲(chǔ)備不足時(shí)，用較高的輸入電壓驅(qū)動(dòng)上部mosfet。為了驅(qū)動(dòng)上部mosfet，用c1 作為電荷泵元件實(shí)現(xiàn)了一個(gè)電荷泵。c1 把電荷泵入由q1、d1、d2 & d4、r2 & r3 和 c3 & c4構(gòu)成的分流穩(wěn)壓電路。當(dāng)m2導(dǎo)通而且驅(qū)動(dòng)開關(guān)節(jié)點(diǎn) (上部mosfet m1的源極) 到地后，c1 通過d1充電到電池電壓。然后，當(dāng)m1驅(qū)動(dòng)開關(guān)節(jié)點(diǎn)從電池電壓上升時(shí)，c1上的電荷通過
NTB45N06的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào):ntb45n06源漏極間雪崩電壓vbr(v):60源漏極最大導(dǎo)通電阻rds(on)(mω):21最大漏極電流id(on)(a):45通道極性:n溝道封裝/溫度(℃):d2pak/-55~175描述:45a,60v邏輯電平的功率mosfet價(jià)格/1片(套):￥7.80 來源:xiangxueqin

NTB45N06T4G的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào):NTB45N06T4G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):40
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):26
最大漏極電流Id(on)(A):45
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):D2PAK/-55 ~150
描述:45 A, 60 V功率MOSFET
價(jià)格/1片(套):￥7.10

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NTB45N06的技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào):NTB45N06
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):21
最大漏極電流Id(on)(A):45
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):D2PAK/-55~175
描述:45A,60V邏輯電平的功率MOSFET
價(jià)格/1片(套):￥7.80

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ntb45n06價(jià)格行情

ntb45n06中文資料

驅(qū)動(dòng)LED陣列的同步降壓開關(guān)電源

NTB45N06的技術(shù)參數(shù)

NTB45N06T4G的技術(shù)參數(shù)

NTB45N06的技術(shù)參數(shù)

ntb45n06替代型號(hào)

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NTB45N06T4G的技術(shù)參數(shù)

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