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FinFET

深度對比體硅 FinFET 與 SOI FinFET 的結構和工藝差異

在半導體制造領域,晶體管結構的選擇至關重要,它直接影響著芯片的性能、能效、成本與可靠性。當制程節(jié)點推進到 22nm 以下時,鰭式場效應晶體管(FinFET)憑借其三維立體結構成為行業(yè)主流。然而,在 FinFET 陣營內(nèi)部...

分類:元器件應用 時間:2025-06-26 閱讀:342 關鍵詞:FinFET

什么是 FinFET?

什么是 FinFET?  FinFET 是一種晶體管。作為晶體管,它是一個放大器和一個開關。其應用包括家用電腦、筆記本電腦、平板電腦、智能手機、可穿戴設備、高端網(wǎng)絡、汽車等?! inFET 代表鰭狀場效應晶體管。Fin,因...

分類:基礎電子 時間:2024-10-23 閱讀:615 關鍵詞:FinFET

保護 FinFET 技術免受靜電放電影響的進展

鰭式場效應晶體管 (FinFET) 是緊湊型節(jié)能技術領域鮮為人知的英雄。非傳統(tǒng)的垂直鰭式設計使晶體管能夠更好地分配電流。  與水平晶體管相比,它們已經(jīng)提高了效率,但進步仍在不斷到來。研究主要希望減少靜電放電 (ES...

分類:安防監(jiān)控 時間:2023-11-28 閱讀:795 關鍵詞:FinFET 技術

淺談FinFET存儲器的缺陷修復和測試算法

同任何IP模塊一樣,存儲器必須接受測試。但與很多別的IP模塊不同,存儲器測試不是簡單的通過/失敗檢測。存儲器通常都設計了能夠用來應對制程缺陷的冗余行列,從而使片上系統(tǒng)(SoC)良率提高到90%或更高。相應地,由...

時間:2019-01-03 閱讀:987 關鍵詞:淺談FinFET存儲器的缺陷修復和測試算法存儲器

深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工藝技術

引入  真空管的發(fā)明是電子工業(yè)發(fā)展的重要動力。但是,在第二次世界大戰(zhàn)之后,由于需要大量的分立元件,設備的復雜性和功耗顯著增  已保存加,而設備的性能卻不斷下降,...

時間:2018-08-17 閱讀:2336 關鍵詞:深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工藝技術GaN工藝技術

Mentor工具通過TSMC16奈米FinFET+制程

MentorGraphics公司宣布,基于臺積電(TSMC)的SPICE模擬工具認證程序,AnalogFastSPICE(AFS)平臺(包括AFSMega及Eldo)通過了16奈米FinFET+V0.9制程認證。V1.0的認證正進行中,將于2014

分類:其它 時間:2014-10-13 閱讀:1297 關鍵詞:Mentor工具通過TSMC16奈米FinFET+制程認證Mentor工具MentorTSMC16

FinFET推動更明智的物理IP選擇

半導體行業(yè)目前面臨集成電路(IC)制造方法的巨大變革,這一變革旨在不斷提高 IC的性能和密度,可能會對設計方法產(chǎn)生影響。晶圓代工廠家目前正準備根據(jù)finFET概念加強使用三維晶體管結構的14nm和16nm工藝,因為相比...

時間:2014-10-10 閱讀:3303 關鍵詞:FinFET推動更明智的物理IP選擇FinFET 工藝 IC制造

Mentor AFS工具通過16nm FinFET+V0.9工藝制程

MentorGraphics公司日前宣布,基于臺積電(TSMC)的SPICE仿真工具認證程序,AnalogFastSPICE(AFS)平臺(包括AFSMega及Eldo)通過了16nmFinFET+V0.9工藝制程認證。V1.0的認證正在進行中,將

分類:其它 時間:2014-09-29 閱讀:2043 關鍵詞:Mentor AFS工具通過16nm FinFET+V0.9工藝制程認證Mentor SPICE仿真工具 工藝制程

FinFET技術面臨的挑戰(zhàn)與發(fā)展前景

FinFET技術是電子行業(yè)的下一代前沿技術,是一種全新的新型的多門3D晶體管。和傳統(tǒng)的平面型晶體管相比,F(xiàn)inFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優(yōu)勢。英特爾已經(jīng)在22nm上使用了稱為“三柵”的FinFET技術,同時許多...

分類:EDA/PLD/PLC 時間:2013-03-15 閱讀:3933 關鍵詞:FinFET技術面臨的挑戰(zhàn)與發(fā)展前景CadenceFinFET技術場效應晶體管

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