圖1中給出了一種基于標準雙極工藝的N+-p型光電二極管[36]，其中的N+區(qū)是由N+埋層以及插入的N+集電極注入形成，P區(qū)則是直接利用輕摻雜的P型襯底。圖中N＋區(qū)與P＋區(qū)的間距為5 gm，N＋區(qū)的面積被定義為光電探測器的面積。

　　圖1  雙極工藝N+-P型光電二極管

　　這種結構能夠高效地進行光電轉換，在外加偏壓為雙極電路工作電壓（4.2 V）時的量子效率η=30%°但是由于受前面敘述的耗盡區(qū)外光生載流子緩慢擴散的影響，其響應速度較慢。該探測器與一跨阻抗為1.8 kΩ的雙極型前置放大器單片集成，當探測器面積為100×100μm2，入射光波長/1＝850 nm時，可以測得開眼圖比特率達到150 Mb/s。當N＋區(qū)的面積減小到10×10 llm＇時，該光電二極管的瞬態(tài)特性將得到顯著改善，入射光波長肛8⒛nm時，上升時間和下降時間分別為40 ps和400 ps。根據節(jié)論述的保守的數(shù)據率估計式DR=1/3f（，這種指標的探測器可以實現(xiàn)850 Mb/s的數(shù)據傳輸能力。

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