由單繞線變壓器組成的50Ω/75Ω的阻抗變換電路
出處：ehoosee 發(fā)布于：2008-09-09 12:02:10
高頻用測定器的輸人輸出阻抗一般為50Ω．由于映像關系為75Ω，所以用50Ω系列的測定器測試阻抗75Ω的電路時，如果有無電壓損失的阻抗變換器就相當?shù)谋憷?/FONT>
圖1是由單繞線變壓器組成的阻抗變換電路的構成。直流信號不能傳送，但可設計任意的匝數(shù)比，所以能夠?qū)鞣N各樣的阻抗。照片1表示用環(huán)形鐵心制作的阻抗變換器的外觀。
圖1 50Ω/75Ω的阻抗變換電路
這里，針對50Ω/75Ω的阻抗變換器進行介紹并實驗。
首先，進行匝數(shù)比的計算，匝數(shù)比的計算由阻抗比的平方裉決定。如N1，取適當?shù)脑褦?shù)，則
照片1 制作的阻抗變換電路的外觀
如果想延伸低頻特性，可盡量選擇初透磁率μi的環(huán)形鐵心，這里使用FT-82-75的鐵心。這種鐵心的初透磁率μi為5000，是透磁率的鐵心（參照表6．1）。當N1＝50匝時，得到L1≈8.5mH，L2≈13mH。
照片2是測定50Ω或75Ω作終端時的輸人阻抗－頻率特性的波形。由50Ω→75Ω變換時，N2側(cè)為75Ω的終端阻抗，由50Ω→75Ω變換時，輸入輸出相反，N1側(cè)以50Ω為終端進行測定。
照片2 制作的電路輸人阻抗－頻率特性（上面為75Ω→50Ω，下面為50Ω→75Ω，f＝1kHz～10MHz）
低頻時的阻抗下降，這是由于線圈的電抗（XL＝2πft）變低的緣故。相反地，表示的在數(shù)MHz處的上升曲線，可認為是由泄露電感和浮游電容組成的并聯(lián)共振所引起的。
照片3表示50Ω→75Ω變換連接時的頻率相位特性。低頻的衰減特性由線圈的電感引起，實際上從所需頻帶卜決定了匝數(shù)。
照片3 50Ω→75Ω變換時的增益相位特性（f＝l00Hz～lOMHz，3dB/p，20°/p.）
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