在處理寬帶信號的模擬電路(高頻電路)和利用各種各樣的時鐘動作的邏輯電路中使用的IC的旁路電容，都要求在寬頻率范圍內(nèi)具有低阻抗的特性。一般地，低頻領(lǐng)域，使用鋁電解電容；高頻領(lǐng)域，使用0，01pt～0.1ptF的陶瓷電容，如可能，也可將層壓型或片型電容并聯(lián)連接使用(圖1)。

　　圖2是測定1p～100ptF的鋁電解電容的阻抗一頻率特性曲線。從曲線上可知，阻抗與靜電容量成比例，變?yōu)榈妥杩?。一般地，使?，7p～47pF的電容，但在高頻下，就會具有數(shù)Ω的阻抗z。此時，從△V＝｜z｜×△i的關(guān)系來看，在電源電流變化大的電路中，不能抑制端子電壓的變動。

　　圖1 適于作電源旁路電容的電容

　　圖2 鋁電解電容的(1/4.7/10/47/1O0μF)阻抗－頻率特性(f＝10k～4OMHz，標(biāo)識點f＝1MHz，10OpF),由于用100pF以上的電容會使阻抗下降，所以在端子電壓變動大的電路中，能得到容許大容量化的良好效果。

　　圖3是測定1pt～100pF的浸漬式鉭電解電容的阻抗一頻率特性曲線。它和圖2中所示的鋁電解電容的傾向不同。即同樣的靜電容量，阻抗很低，可期望其作為旁路電容的效果。但是考慮到鉭電解電容的可靠性，并不常用。鉭電解電容的充電電流和放電電流不像鋁電解電容那樣，可取值很大，因此如出現(xiàn)故障，會變成短路。

　　圖2 鉭電解電容（1/4.7/ 10/47/100μF）的阻抗－頻率特性(f＝10k～4OMHz，標(biāo)識點f＝1MHz，100μF)

　　圖3 浸漬式鉭電解電容

　　圖4 是研究適于承擔(dān)高頻波的陶瓷電容的阻抗－頻率特性曲線。與先前的實驗不同，變更縱軸和橫軸的比例。

　　在這種頻率特性中，阻抗｜z｜變?yōu)榈念l率凡稱為自身共振頻率。C＝0.1μF時為10M～20MHz(取決于引線的長度)，處理這以上的頻率時，選用0.Lμ～0.01μF的電容。

　　圖4 被用于旁路電容的電容的阻抗－頻率特性(f＝1M～4OMHz，標(biāo)識點f＝10MHz)

　　薄膜系列和陶瓷系列的電容，雖然在很小的靜電容量下能夠達(dá)到低阻抗化，但應(yīng)注意其低阻抗的范圍很狹小。

　　但是無論選用哪種，在高頻電路和高速邏輯電路中，如果在IC電源管腳附近不附加旁路電容，就不能得到旁路電容的效果。