開路集電極時的功率MOSFET的驅(qū)動
出處：夏蟲 發(fā)布于：2008-09-10 16:09:53
晶體管開路集電極組成的電路是基本的開關(guān)電路。圖1所示的74系列TTL的開路集電極上附加上拉電阻的電路，圖2所示的晶體管2SC2655上，附加集電極負載電阻RC進行驅(qū)動。
圖1 晶體管開路集電極——TTL時
功率MOSFET的門閉合時，通過電阻Rc對輸入電容Ciss充電，門打開時集電極一發(fā)射極間發(fā)生快速地放電。但此電路的缺點是tdON依賴于電阻Rc，高速化時需要Rc的值很低，所以驅(qū)動電路的電流也增大。
圖2是Rc＝1kΩ時的開關(guān)波形。它產(chǎn)生了由Rc＝1kΩ、Ciss＝8700pF的時間常數(shù)所引起的延遲。一方面，由于OFF時晶體管的集電極電流高速放電，所以tdOFF變短。
圖2 由開路集電極組成的功率MOSFET的驅(qū)動
圖3表示Rc＝100Ω時的開關(guān)波形。提到它的可用特性，是晶體管的集電極電流大(Ic=0.1A+IG)。
圖3 由開路集電極組成的功率MOSFET的開關(guān)波形
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