前面實驗的功率MOSFET是漏極損耗15OW的器件。下面，針對大容量的功率MOSFET進行實驗。

　　這里，使用2SK1522(PD＝250W、VDs＝50OV、IDS＝50A、Ciss＝87OOpF、Crs＝235pF、RON＝0. 11Ωmax；日立制造)，門極輸入電容是2SK1379的幾倍。

　　實驗電路中為觀測門極電流IG及漏極電流ID的波形，夾緊探頭(圖1、照片2)。負載電阻因繞線系統(tǒng)中的電阻器可能會產(chǎn)生阻抗振蕩，所以并聯(lián)連接8個3W、200Ω的氧化金屬薄膜電阻，當(dāng)用于開關(guān)的輸人占空比極小不能測定時就會發(fā)熱．

　　圖1 250W功率MOSFET的開關(guān)特性測定電路

　　圖2 功率MOSFET的特性測定電路

　　觀察驅(qū)動電路的特性之前，使用脈沖發(fā)生器，研究對門極電阻RG的開關(guān)的依賴性。

　　圖1是測試電路中，RG＝100Ω(脈沖發(fā)生器的終端電阻為50Ω)時的門極一源極間電壓VGS、漏極－源極間電壓VDS的開關(guān)波形。這里為進行直觀的比較，實驗電路的測定條件固定(脈沖幅度1Oμs、時間軸2.5μs/p)。

　　從波形圖可知，VGS波形上升很快，高速時FET為ON。VDS形在VGS的OFF后延遲1.2μS才OFF。此時間稱為關(guān)閉延遲OFF，是高頻開關(guān)電路中重要的因素。

　　圖3是RG＝100Ω時的開關(guān)波形。大致的樣子發(fā)生了變化。ON時由于通過信號源阻抗對MOSFET的門輸人電容進行充放電，所以O(shè)N時的延遲時間tdON變長。飽和時的vGS波形的上升變慢，OFF的延遲也變得相當(dāng)大。漏極電壓的(ch2 Fall)、tr(ch2， Rise)在圖面的右上方表示。

　　圖3 由2SK1522組成的開關(guān)柵極波形和輸出電壓波形

　　從以上實驗可知，功率MOSFET進行高速開關(guān)時，應(yīng)盡量用低電阻驅(qū)動。另外，tdOFF比tdON的延遲與R，有關(guān)，應(yīng)降低驅(qū)動電路OFF時的電阻。