作為高速的開關(guān)器件，功率MOSFET比較被注目。要充分地使用它，就必須非常清楚其門驅(qū)動電路。

　　功率MOSFET在苴流～低速開關(guān)用途上，與以往的場效應(yīng)品體管相比易于驅(qū)動是其的特色．但如要在高頻時實現(xiàn)高速開關(guān)動作，則因門輸入阻抗低而非常困難，教科書卜提到過功率MOSFET的輸人阻抗極高，但那是有適用條件的．

　　圖1是用于測試功率MOSFET(2SK1379)的開關(guān)特性的電路．試驗中使用的2SK1379(東芝)是60V、50A，漏極損耗150W,gm＝25～35S的功率開關(guān)器件．注意其輸入電容Cis＝36OOpF、反饋電容Crs＝10O0pF 使用此FET，研究其門極上直接串聯(lián)連接的電阻RG對特性帶來的影響。

　　MOSFET實質(zhì)上是高速開關(guān)器件，受到輸入輸出問的耦合、配線等的寄生電感的影響，具有動作不易穩(wěn)定的性質(zhì)。因此，門極電阻RG的插人不可缺少，隨著RG的提高，開關(guān)的時間變慢。那是因為存在門輸入電流對門輸入電容Cis進行充放電的時間常數(shù)。越高速的開關(guān)，越需要大的閘輸入電流．

　　圖1 150W功率MOSFET開關(guān)特性測定電路

　　一方面，OFF開關(guān)時，如果不將門極儲蓄的電荷引人到驅(qū)動側(cè)，就不能OFF。

　　實驗電路中測定門電流時用電流探頭夾緊(帶域幅度DC～50MHz)。為了觀測門極端子流過的電流I，而插入。負載電阻RL以50V、10A開關(guān)，RL＝Vo/Io＝5Ω(4個20Ω并聯(lián))。

　　圖2是通過RG＝50Ω，將5Vp-p、45μs的脈沖進行開關(guān)時的輸出波形V。和門極輸人電流IG的波形。

　　圖2 由2SK1379組成的開關(guān)----輸出電壓波形和柵極電流波形

　　門極電流的峰值略小于40mA，IG≈0的時間為5μs。

　　輸出波形的下降時間略小于1μs，上升時間幾乎相同。另外，開關(guān)OFF時，也流過40mA的門極電流(電流方向相反)。驅(qū)動電路消耗的電力是此電流波形的積分值，高頻時也不能忽視驅(qū)動電路的電力。

　　這里RG＝100Ω時的上升、下降時問為1.8μs、2μs,IG＝25mA(峰值)RG＝200Ω H時為3.1μs 、3.2μs、,IG=15mAPEAK,如果減少峰值電流，則開關(guān)特性會變差．

　　圖3是RG＝600Ω時的波形。輸出電壓波形也不理想，一方面，由于門極申流波形雖然減少到7.5mAPEAK, 但電流流過的時間(時間常數(shù))變長．輸出波形OFF時的阻尼振蕩現(xiàn)象少，所以只能適用于低速開關(guān)。

　　圖3 由2SK1379組成的開關(guān)…輸出電壓波形和柵極電流波形(RG=600Ω)

　　綜上所述，實現(xiàn)高速開關(guān)時．需耍驅(qū)動電路的輸出電流大(是推挽的射極跟隨器)上升時間及下降時間短的驅(qū)動波形．