功率MOSFET與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，可以說速度較快，其原因是由于用于ON的時(shí)間。tf及下降時(shí)間較快。一般的是努力加快上升時(shí)間ton及下降時(shí)間幻，但實(shí)際上輻更重要。

　　MOSFET是雙極型的沒有載流子積蓄時(shí)間，因此可以高速，但它用于OFF的時(shí)間。存在，這個(gè)是低速的。

　　功率MOSFET的開關(guān)特性根據(jù)門驅(qū)動(dòng)電路、條件變化很大，所以要進(jìn)行高速的開關(guān)動(dòng)作，需要很多的知識(shí)。

　　圖1是將高耐壓的功率MOSFET 2SK894(500V、8A)，采用和前面的晶體管相同條件地進(jìn)行開關(guān)時(shí)的電路。門極電阻FG為100Ω(此值并不是適合的，這里是為了比較測(cè)試)。

　　圖1 功率MOSFET的開關(guān)特性測(cè)定電路

　　MOSFET的門驅(qū)動(dòng)電路，如果不能在門極一源極之間對(duì)電容Ciss進(jìn)行高速地充放電，則不能活用FET的高速開關(guān)特性。圖2是開關(guān)時(shí)漏極輸出波形和門極驅(qū)動(dòng)輸人電流IG(門極電壓VGSGS≈7V)的波形。注意當(dāng)VGS＝0V后，MOSFET到達(dá)OFF的時(shí)間toff拖長820ns。

　　圖2 ZSK894的開關(guān)特性

　　ON/OFF的過渡時(shí)間(與RG和Ciss有關(guān))里，流過約50mA的門極電流，此時(shí)間約800ns。不縮短這個(gè)時(shí)間就不能改善開關(guān)特性。通過波形的觀察可知，tf值、tr值都和附加加速電容器的場(chǎng)效應(yīng)晶體管程度相同，所以不能稱為高速。

　　圖3是并聯(lián)連接RG＝100Ω和0.01μF的加速電容器時(shí)的開關(guān)波形。漏極輸出波形的tf、tr值約100ns，而toff＝240ns，實(shí)現(xiàn)了高速化。如果制作出合適的門驅(qū)動(dòng)電路，則可更加高速化。

　　圖3 2SK894的開關(guān)特性

　　觀察此時(shí)的門輸人電流波形，通過加入Cs，F(xiàn)ET的輸人電容Ciss的充電時(shí)間被縮短。