吸收電路一般由電阻、電容和二極管組成，常和開關(guān)管或二極管（包括高頻整流二極管）并接，使開關(guān)管上電壓的應(yīng)力減小、EMI減少，使負載線的軌跡不超過安全工作區(qū)，不發(fā)生二次擊穿。下面仍以反激轉(zhuǎn)換器為例進行介紹。

　　當圖1所示的控制脈沖Ug在t＝t1為低電壓時開關(guān)管V趨于關(guān)斷，Ic下降，由于Lp、LLT的作用，集電極電壓增加，形成Isnb吸收電路電流，以維持變壓器初級繞組電流Ip不變（Ip＝IC十ISNb）.ISNb流過D1對C1充電。

　　如果開關(guān)管V關(guān)斷的很快（條件），集電極電壓的變化率dUC／d／由下式?jīng)Q定

　　隨著開關(guān)管V的關(guān)斷，線性增加的集電極電壓Uce在t＝t3時達到2倍Ui的電壓。短時間之后（延時決定于初級至次級漏電感的大?。敶渭壚@組電壓上升到Ucz加上D2的壓降時，形成圓弧形上升的電流Iso在這時反激電流將從初級至次級電路換流，換流過程的速率由次級漏電感及外部電感電容來決定。

　　圖1中示出了初、次級換流過程的波形。在t＝t2，Ip＝0時，開關(guān)管V的Uce＝Uceo的70％為好。此后在Isnb充電下，Uce繼續(xù)斜線上升，當上升到2×Ui時，極性反轉(zhuǎn)的P4電壓耦合到△，足以使D3導通，因此在t＝t3時出現(xiàn)IFB，抑制了Uce的繼續(xù)上升。在IFB＝0時，次級達到I'S電流穩(wěn)壓值。

　　如果要實現(xiàn)上述理想情況，需要仔細地選擇參數(shù)和實驗調(diào)整。圖2示出了無吸收環(huán)節(jié)情況。圖3示出了有吸收環(huán)節(jié)的情況。

　　圖1 吸收電路的作用及電流電壓波形

　　圖2 無吸收環(huán)節(jié)情況圖

　　圖3 有吸收環(huán)節(jié)情況圖

　　值得指出的是，如果開關(guān)管V裝有散熱器時，散熱器是集電極（或是隔電傳熱式）。在開關(guān)管V的集電極與電源公共線之間存在電容時，它為集電極電流提供了工條附加的通路。它也是引起集電極電流存在的事實。不過，它與安裝有關(guān)，與開關(guān)管本身存在的Miller電流效應(yīng)不能混淆。另外，它的數(shù)值也比較大一些，它的存在對減小dUcd／dt是有好處的。