本設(shè)計(jì)方案描述了上一個(gè)方案的改進(jìn)（參考文獻(xiàn)1）。如圖1中電路使用普通的SPST按鍵開關(guān)S1代替原設(shè)計(jì)所需的SPDT開關(guān)。使用隔膜開關(guān)極大的簡化了設(shè)備的工業(yè)化設(shè)計(jì)，并提高了工效。此外，電路通過未激勵(lì)開關(guān)消除電流的方法，從而略微減少了現(xiàn)有模式中的電流消耗。

　　備用模式中，MOSFET Q1仍然關(guān)閉，消耗電池少于1 µA的漏電流。按下開關(guān)S1，通過二極管D1將門極拉到地，使Q1打開。電壓穩(wěn)壓器IC1開啟，為微處理器IC2供能。微處理器啟動(dòng)，并將P1.1輸出端口置高。打開晶體管Q2，鎖存系統(tǒng)能量到允許S1斷開。與此同時(shí)，電阻R3上拉微處理器輸入端口P1.2到Vcc。按下開關(guān)幾秒鐘，通過二極管D2使P1.2輸入下拉，發(fā)按鍵觸發(fā)事件的信號(hào)到固件。完成程序以后，微處理器將輸出端口P1.1置低來關(guān)閉Q2。從而，直到使用者按下S1重啟程序時(shí)為止，Q1使系統(tǒng)掉電。

　　選擇器件的時(shí)候，確保Q1的柵-源極擊穿電壓超過可能輸入的電壓；否則，使用齊納擊穿二極管來限制為Q1供電的柵-源極電壓。如果電壓穩(wěn)壓器IC1包括一個(gè)開/關(guān)控制引腳，就可以忽略Q1。為了用不同開關(guān)電源設(shè)備代替Q1
，例如NPN雙極晶體管或繼電器，指定Q2供給開關(guān)設(shè)備所需的控制電流。為進(jìn)一步減少電路器件的數(shù)量，用適當(dāng)?shù)墓碴帢O雙二極管陣列替代二極管D1和D2，例如BAV70。如果IC2包括內(nèi)置的上拉電阻，就可以忽略電阻R3，許多現(xiàn)代微處理器都是這樣的。

參考文獻(xiàn):

[1]. BAV70 datasheet http://m.58mhw.cn/datasheet/BAV70_160956.html.