無論你是利用III-V簇晶圓生產(chǎn)用于手機(jī)配件的RF芯片，還是利用硅技術(shù)生產(chǎn)高性能模擬電路，在研發(fā)和生產(chǎn)中預(yù)測終產(chǎn)品的性能和可靠性，都需要晶圓級RF散射參數(shù)（s）的測量。這些測試對DC數(shù)據(jù)是重要的補(bǔ)充，相對于單純的DC測試，它用更少的測試卻能提供明顯更多的信息。實(shí)際上，一個兩通道的s參數(shù)掃描能同時提取阻抗和電容參數(shù)，而采用常規(guī)DC方法，則需要分開測試，甚至需要單獨(dú)的結(jié)構(gòu)以分離工藝控制需要的信息。

功放RF芯片的功能測試是這種性能的另外一種應(yīng)用。這些器件非常復(fù)雜，然而價格波動大。生產(chǎn)中高頻低壓的測試條件排除了通常阻礙晶圓級測試的功耗問題。也不存在次品器件昂貴的封裝費(fèi)用。已知良品芯片技術(shù)也可以應(yīng)用于晶圓級測試中，它能夠明顯改進(jìn)使用RF芯片的模塊的良率。

芯片制造商也可以利用晶圓級RF測試來提取各種高性能模擬和無線電路的品質(zhì)因數(shù)。比如濾波器、混頻器以及振蕩器。SoC（System-on-chip）器件制造商希望這種子電路測試技術(shù)能夠降低總體的測試成本。

130nm節(jié)點(diǎn)以下的高性能邏輯器件中，表征薄SiO2和高介電常數(shù)（high-k）柵介質(zhì)的等效氧化層厚度（EOT）非常關(guān)鍵。RF測試在介電層的建模方面扮演了重要角色，它能夠去除掉寄生元件，而這種寄生效應(yīng)在傳統(tǒng)的二元模型中將阻礙C-V數(shù)據(jù)的正確表示。中高頻 (MFCV, HFCV) 電容測量技術(shù)不可能因?yàn)閮x器而對測試引入串聯(lián)阻抗。