射頻(RF)測(cè)試的重要地位
出處:zjq1224 發(fā)布于:2007-04-29 10:35:24
問題之一是對(duì)于超薄介質(zhì),由于存在大的漏電和非線性,通過標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測(cè)試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而,使用高頻電路模型則能夠提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點(diǎn),對(duì)于高性能/低成本數(shù)字電路,RF電路,以及模擬/數(shù)模混合電路中的器件,這方面的挑戰(zhàn)也在增加。
減少使用RF技術(shù)的建議是在以下特定的假設(shè)下提出來: 假設(shè)RF技術(shù)不能有效地應(yīng)用,尤其是在生產(chǎn)的環(huán)境下,這在過去的確一直是這種情況。
但是,現(xiàn)在新的參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)能夠快速、準(zhǔn)確、可重復(fù)地提取RF參數(shù),幾乎和DC測(cè)試一樣容易。重要的是,通過自動(dòng)校準(zhǔn)、去除處理(de-embedding)以及根據(jù)待測(cè)器件(DUT)特性進(jìn)行參數(shù)提取,探針接觸特性的自動(dòng)調(diào)整,已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)RF的完整測(cè)試。這方面的發(fā)展使得不必需要RF來保證得到好的測(cè)試結(jié)果。在生產(chǎn)實(shí)驗(yàn)室,根據(jù)中間測(cè)試結(jié)果或者操作需要,自動(dòng)探針臺(tái)和測(cè)試控制儀能夠完成過去需要人為干涉的事情。世界范圍內(nèi),已經(jīng)有7家半導(dǎo)體公司驗(yàn)證了這種用于晶圓RF生產(chǎn)測(cè)試的系統(tǒng)。
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