近主要的半導(dǎo)體制造商承認(rèn)：研發(fā)和生產(chǎn)先進(jìn)的IC芯片非常需要晶圓級(jí)的射頻(RF)測(cè)試。在一定程度上，這公然與2003年ITRS技術(shù)工作組對(duì)于建模與仿真的建議不符，該建議表明:"對(duì)于RF精簡(jiǎn)模型的參數(shù)提取，更應(yīng)該盡力壓縮RF測(cè)試。 如果需要，應(yīng)該通過支持仿真的標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測(cè)試來提取這些參數(shù)。"

問題之一是對(duì)于超薄介質(zhì)，由于存在大的漏電和非線性，通過標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測(cè)試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而，使用高頻電路模型則能夠提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點(diǎn)，對(duì)于高性能/低成本數(shù)字電路，RF電路，以及模擬/數(shù)模混合電路中的器件，這方面的挑戰(zhàn)也在增加。

減少使用RF技術(shù)的建議是在以下特定的假設(shè)下提出來： 假設(shè)RF技術(shù)不能有效地應(yīng)用，尤其是在生產(chǎn)的環(huán)境下，這在過去的確一直是這種情況。
但是，現(xiàn)在新的參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)能夠快速、準(zhǔn)確、可重復(fù)地提取RF參數(shù)，幾乎和DC測(cè)試一樣容易。重要的是，通過自動(dòng)校準(zhǔn)、去除處理（de-embedding）以及根據(jù)待測(cè)器件（DUT）特性進(jìn)行參數(shù)提取，探針接觸特性的自動(dòng)調(diào)整，已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)RF的完整測(cè)試。這方面的發(fā)展使得不必需要RF來保證得到好的測(cè)試結(jié)果。在生產(chǎn)實(shí)驗(yàn)室，根據(jù)中間測(cè)試結(jié)果或者操作需要，自動(dòng)探針臺(tái)和測(cè)試控制儀能夠完成過去需要人為干涉的事情。世界范圍內(nèi)，已經(jīng)有7家半導(dǎo)體公司驗(yàn)證了這種用于晶圓RF生產(chǎn)測(cè)試的系統(tǒng)。