光刻工藝及其工藝要求
出處:sdytwq 發(fā)布于:2007-04-29 10:14:48
1 光刻前的準(zhǔn)備工作
1.1 準(zhǔn)備要求
1.2 準(zhǔn)備方法
2 涂膠
2.1 涂膠的要求
2.2 涂膠的方法
3 前烘
3.1 前烘要求
3.2 前烘的方法
4 曝光
4.1 曝光的要求
4.2 曝光的方法
5 顯影
5.1 顯影的要求
5.2 顯影的方法
6 堅膜
6.1 堅膜的要求
6.2 堅膜的方法
7 腐蝕
7.1 腐蝕的要求
7.2 腐蝕的方法
8 去膠
8.1 去膠的要求
8.2 去膠的方法
課程重點:本節(jié)介紹了光刻工藝及對各光刻工藝步驟的要求。指出光刻工藝步驟可分為八步,每一步均有各自的工藝要求。步為光刻前的準(zhǔn)備工作,該工藝步驟要求達(dá)到的目的是使襯底片表面具有干燥、疏水特性,并給出了各種待光刻襯底片的表面處理方法。第二步為涂膠工藝,該工藝步驟要求達(dá)到的目的是在襯底片表面涂敷一層粘附性良好的、厚度均勻的、致密的連續(xù)性膠膜,介紹了三種涂膠工藝的方法 。第三步為前烘工藝,該工藝步驟要求達(dá)到的目的是使膠膜中的溶劑全部揮發(fā)、膠膜保持干燥、以利于光化反應(yīng)時反應(yīng)充分,并給出了兩種前烘的工藝方法。第四步為曝光工藝,該工藝步驟要求達(dá)到的目的是使感光區(qū)的膠膜發(fā)生光化反應(yīng)、在顯影時發(fā)生溶變,介紹了常見的紫外光光刻機及其所進(jìn)行的接觸式、選擇性、紫外光曝光工藝方法。 第五步為顯影工藝,該工藝步驟要求達(dá)到的目的是在顯影液中、溶除要求去掉的膠膜部分(對負(fù)性光刻膠溶除未曝光部分,對正性光刻膠溶除已曝光部分),各類膠的顯影在本章節(jié)已作了介紹。第六步為堅膜工藝,該工藝步驟要求達(dá)到的目的是去除在顯影過程中進(jìn)入膠膜中的水分(顯影液)、 使 保留的膠膜與襯底表面牢固的粘附,介紹了兩種堅膜工藝方法。第七步為腐蝕工藝,該工藝步驟要求達(dá)到的目的是去除襯底表面無膠膜保護(hù)的薄膜層,給出了腐蝕常見的兩種薄膜層的方法、腐蝕二氧化硅時采用氫氟酸緩沖液進(jìn)行腐蝕( 腐蝕條件是:在溫度30度 -40度下 , 時間適當(dāng))、腐蝕鋁時采用熱磷酸進(jìn)行腐蝕(腐蝕條件是:在溫度80度下 , 時間適當(dāng))。第八步為去膠工藝, 該工藝步驟要求達(dá)到的目的是去除腐蝕時起保護(hù)作用的膠膜,去膠工藝在本章節(jié)已作了介紹。
課程難點:無
基本概念:無
基本要求:要求對光刻工藝及對各光刻工藝步驟的要求非常清楚。清楚光刻前的準(zhǔn)備工作的目的和要求,知道能使襯底片表面具有干燥、疏水特性的各種方法,了解這些方法中的優(yōu)劣狀況 ,能采用適當(dāng)方法對襯底片表面進(jìn)行處理。清楚涂膠工藝的目的和要求,知道能在襯底片表面涂敷一層粘附性良好的、厚度均勻的、致密的連續(xù)性膠膜的各種方法,能在工藝制造中選擇適當(dāng)?shù)姆椒?。清楚前烘工藝的目的和要求,知道能使膠膜中的溶劑全部揮發(fā)、膠膜保持干燥、以利于光化反應(yīng)時反應(yīng)充分的各種方法,能在工藝制造中選擇適當(dāng)?shù)姆椒?。清?/SPAN>曝光工藝的目的和要求,知道能使感光區(qū)的膠膜發(fā)生光化反應(yīng)、在顯影時發(fā)生溶變的方法,知道曝光工藝的工藝設(shè)備、常見的用紫外光光刻機進(jìn)行的接觸式、選擇性、紫外光曝光工藝方法。清楚顯影工藝的目的和要求,知道能對各種膠膜進(jìn)行顯影的不同方法,能在工藝制造中選擇適當(dāng)?shù)姆椒?。清楚堅膜工藝的目的和要求,知道能去除在顯影過程中進(jìn)入膠膜中的水分(顯影液)、 使 保留的膠膜與襯底表面牢固的粘附各種方法,能在工藝制造中選擇適當(dāng)?shù)姆椒?。清楚腐蝕工藝的目的和要求,知道能去除襯底表面無膠膜保護(hù)的薄膜層各種方法(對不同的襯底表面薄膜層的腐蝕,采用不同的腐蝕液和不同的腐蝕工藝),能在工藝制造中對不同的襯底表面薄膜層選擇適當(dāng)?shù)母g方法。清楚去膠工藝的目的和要求,知道能去除腐蝕時起保護(hù)作用的膠膜各種工藝方法,能在工藝制造中對應(yīng)不同襯底表面薄膜層的性質(zhì)選擇適當(dāng)?shù)娜ツz方法。
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