1 常規(guī)光刻技術(shù)存在的問題

1.1 常規(guī)曝光技術(shù)存在的問題

1.2 常規(guī)腐蝕技術(shù)存在的問題

2 其它曝光技術(shù)

2.1 投影曝光技術(shù)

2.2 電子束曝光技術(shù)

2.3 x射線曝光技術(shù)

2.4 共模復(fù)印曝光技術(shù)

3 其它刻蝕技術(shù)

3.1 圓桶型等離子體刻蝕

3.2 平板型等離子體刻蝕技術(shù)

課程重點(diǎn)：本節(jié)介紹了其它光刻技術(shù)。首先討論了上述幾節(jié)介紹的常規(guī)光刻技術(shù)存在的問題，如常規(guī)曝光技術(shù)存在的分辨率不高、以及設(shè)備和接觸變形問題；又如常規(guī)腐蝕技術(shù)存在的由于濕法腐蝕引起的側(cè)向腐蝕嚴(yán)重問題、鉆蝕嚴(yán)重問題和手二氧化硅質(zhì)量影響大問題等，這些問題對(duì)規(guī)模較大的集成電路制造或要求分辨率較高的分離器件制造的成品率有非常大的影響。本節(jié)介紹了解決上述問題的其它光刻工藝技術(shù)。為克服常規(guī)曝光技術(shù)存在的問題，給出了投影曝光技術(shù)、電子束曝光技術(shù)、 x射線曝光技術(shù)和共模復(fù)印曝光技術(shù)，這些曝光技術(shù)都很好的解決了常規(guī)曝光技術(shù)存在的各種問題。本節(jié)介紹了解決上述問題的其它刻蝕技術(shù)，變濕法腐蝕為干法腐蝕，所述的兩種等離子體刻蝕技術(shù)均很好的克服了濕法腐蝕存在的各種問題。

課程難點(diǎn)：常規(guī)曝光技術(shù)存在的各種問題及其對(duì)器件制造的成品率影響，相對(duì)應(yīng)介紹的其它曝光技術(shù)如何很好的解決了常規(guī)曝光技術(shù)存在的各種問題。常規(guī)腐蝕技術(shù)存在的各種問題及其對(duì)器件制造的成品率影響 ，相對(duì)應(yīng)介紹的其它腐蝕技術(shù)如何很好的解決了濕法腐蝕技術(shù)存在的各種問題 。

基本概念：無

基本要求：要求清楚的知道常規(guī)光刻技術(shù)存在的問題 ，要求知道：常規(guī)曝光技術(shù)存在一些什么問題，這些問題如何影響著規(guī)模較大的集成電路制造或要求分辨率較高的分離器件制造的成品率，所介紹的其它曝光技術(shù)如何很好的解決了常規(guī)曝光技術(shù)存在的各種問題；要求知道：常規(guī)濕法腐蝕技術(shù)存在一些什么問題，這些問題如何影響著規(guī)模較大的集成電路制造或要求分辨率較高的分離器件制造的成品率，所介紹的其它腐蝕技術(shù)如何很好的解決了常規(guī)曝光技術(shù)存在的各種問題；要求能根據(jù)實(shí)際器件制造的要求，選擇合適的曝光技術(shù)和腐蝕技術(shù)。

第五章 ：光刻工藝及原理作業(yè)

思考題2題+習(xí)題2題